一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器制造技术

一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器，属于模拟集成电路技术领域。本发明专利技术中开关功率管M5为NMOS管，使功率管的输出电阻减小，可提高负载突变时的响应速度；第一反馈电阻R

【技术实现步骤摘要】
一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器
本专利技术属于模拟集成电路
，具体涉及一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器。
技术介绍
低压差线性稳压器作为现代电源管理芯片的主要组成部分，其特点在于工作过程中没有开关动作，噪声比较低且整个单元设计简单，元件数目少，整个芯片面积小便于集成。图1是一种具有双环结构的LDO的结构示意图。其中的功率开关器件通常由PMOS管实现，这是由于使用PMOS管作为开关管，输入电压VIN仅需要比输出电压VO高出一个饱和漏源电压或夹断时漏源电压VSD(sat)就可以维持所需要的输出电流IO，所以特别适用于低压差、高效率的设计要求。PMOS管的驱动能力较弱，版图占用较大面积，输出电阻一般较大，对突变的负载做出的响应较慢。并且该结构需要弥勒电容进行环路补偿，这就又加大了芯片的版图面积。
技术实现思路
本专利技术的目的，就是针对上述传统电路存在的问题，提出一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器，为加快响应速度采用NMOS管作为调整管，同时采用双环结构，不要弥勒电容就可以很好的进行环路补偿。本专利技术的技术方案是，一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器，包括误差放大器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器，包括误差放大器(g

【技术特征摘要】
1.一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器，包括误差放大器(gm)，运算放大器、开关功率管(M5)、第一反馈电阻(RFB1)、第二反馈电阻(RFB2)、负载电阻(RL)和电容(CO)，所述误差放大器(gm)的正向输入端输入基准电压(VREF)，其输出端连接运算放大器的正向输入端，所述开关功率管(M5)的栅极连接运算放大器的输出端，其漏极连接输入电压(VIN)，第一反馈电阻(RFB1)和第二反馈电阻(RFB2)串联，其串联点连接误差放大器(gm)的负向输入端，第一反馈电阻(RFB1)的另一端接开关功率管(M5)的源极并作为所述具有快速响应特性的低压差线性稳压器的输出端，第二反馈电阻(RFB2)的另一端接地，所述负载电阻(RL)和电容(CO)的并联结构连接在开关功率管(M5)的源极和地之间；其特征在于，所述开关功率管(M5)为NMOS管，开关功率管(M5)的源极连接运算放大器的负向输入端。2.根据权利要求1所述的具有快速响应特性的低压差线性稳压器，其特征在于，所述运算放大器包括第一三极管(Q1)、第一PMOS管(M6)、第二PMOS管(M7)、第四NMOS管(M4)和第一电阻(R1)，第一三极管(Q1)的基极作为所述运算放大器的正向输入端，第四NMOS管(M4)的源极作为所述运算放大器的负向输入端，其栅极作为所述运算放...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗萍，刘泽浪，黄锴，黄龙，甄少伟，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51