参考电压产生器及产生方法技术

本发明专利技术公开了参考电压产生器及产生方法，其中所述参考电压产生器包括：带隙参考电路，用于根据至少一个双极结型晶体管的至少一个基极‑发射极电压产生参考电压；以及负电压产生器，用于产生负电压；其中，所述至少一个双极结型晶体管的至少一个基极用于接收从所述产生的负电压中获取的基极电压。本发明专利技术可应用在低电源电压环境下。

【技术实现步骤摘要】
参考电压产生器及产生方法
本专利技术涉及电子
，尤其涉及参考电压产生器及产生方法。
技术介绍
参考电压对信号处理电路的性能和准确性具有重要影响。例如，带隙(bandgap)参考电路用于各种各样的应用中以提供不受温度影响的电压。由于低功耗的要求，低电压操作为移动设备中的重要设计事项。因此，当移动设备使用带隙参考电路为所述移动设备的信号处理电路提供参考电压，带隙参考电路需要在低电源环境下正常运行。不管怎样，由于半导体制程技术正在发展以减小导线宽度，最大允许的电源电压也随之减小。通常，传统的带隙参考电路依靠双极结型晶体管的基极-发射极电压产生不受温度影响的电压。因此，传统的带隙参考电路的电源电压主要受限于基极-发射极电压(例如，0.7V)。最终导致，传统的带隙参考电路不适用于具有低电源电压的应用。
技术实现思路
本专利技术提供参考电压产生器及参考电压产生方法，可应用在低电源电压环境下。本专利技术提供的参考电压产生器，可包括：带隙参考电路，用于根据至少一个双极结型晶体管的至少一个基极-发射极电压产生参考电压；以及负电压产生器，用于产生负电压；其中，所述至少一个双极结型晶体管的至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种参考电压产生器，其特征在于，包括：带隙参考电路，用于根据至少一个双极结型晶体管的至少一个基极‑发射极电压产生参考电压；以及负电压产生器，用于产生负电压；其中，所述至少一个双极结型晶体管的至少一个基极用于接收从所述产生的负电压中获取的基极电压。

【技术特征摘要】
2015.12.03 US 62/262,387;2016.11.01 US 15/340,9711.一种参考电压产生器，其特征在于，包括：带隙参考电路，用于根据至少一个双极结型晶体管的至少一个基极-发射极电压产生参考电压；以及负电压产生器，用于产生负电压；其中，所述至少一个双极结型晶体管的至少一个基极用于接收从所述产生的负电压中获取的基极电压。2.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，将所述负电压提供给所述至少一个双极结型晶体管的所述至少一个基极。3.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，所述负电压产生器包括充电泵电路。4.如权利要求3所述的参考电压产生器，其特征在于，所述充电泵电路包括：第一电容器，包括第一端和第二端；第一开关，耦接于第一电压和所述第一电容器的所述第一端之间；第二开关，耦接于所述第一电容器的所述第一端和第二电压之间；第三开关，耦接于所述第一电容器的所述第二端和所述第二电压之间；电阻器，包括第一端和第二端；第四开关，耦接于所述第一电容器的所述第二端和所述电阻器的所述第一端之间；以及第二电容器，耦接于所述电阻器的所述第二端和所述第二电压之间；其中，所述负电压产生于所述电阻器的所述第二端上，且在第一时间段，所述第一开关和所述第三开关闭合，所述第二开关和所述第四开关断开；在第二时间段，所述第一开关和所述第三开关断开，所述第二开关和所述第四开关闭合。5.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于，还包括：制程追踪电路，用于从所述负电压产生器接收所述负电压，从所述带隙参考电路接收选择的电压，并根据所述负电压和所述选择的电压产生不受制程影响的电压。6.如权利要求5所述的参考电压产生器，其特征在于，所述选择的电压为所述参考电压。7.如权利要求5所述的参考电压产生器，其特征在于，所述选择的电压为所述至少一个双极结型晶体管的至少一个发射极电压。8.如权利要求5所述的参考电压产生器，其特征在于，所述制程追踪电路包括：运算放大器，包括第一输入输入节点、第二输入节点以及输出节点，其中，所述第一输入节点用于接收所述选择的电压，所述第二输入节点耦接于所述输出节点，且所述运算放大器根据所述选择的电压在所述输出节点产生放大器输出电压；分压器，耦接于所述放大器输出电压和所述负电压之间，用于根据所述放大器输出电压和所述负电压产生分压电压；以及不受制程影响的电压产生器，用于根据所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林大新，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71