【技术实现步骤摘要】
存储器的制作方法及存储器
本公开实施例涉及集成电路领域，特别涉及一种存储器的制作方法及存储器。
技术介绍
在集成电路领域，为了在单位面积上获得更大的存储容量，晶圆键合(bonding)技术应运而生。具体地，通过导电层之间的键合，将不同功能的两个晶圆进行贴合，使得不同晶圆结合为一体。然而，现有键合技术中，键合效果较差，通过贴合具有不同功能的两个晶圆形成的存储器良率较低。
技术实现思路
有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器的制作方法及存储器。根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器的制作方法，包括：在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层；形成覆盖所述第一阻挡层的第一导电层；其中，所述第一导电层具有第二晶相结构，具有所述第二晶相结构的所述第一导电层与具有所述第一晶相结构的所述第一阻挡层的晶格匹配度满足预设条件。可选地，所述方法还包括：在所述第一衬底上形成第二阻挡层；其中，所述第一导电层向所述第二阻挡层扩散的扩散率，小于所述第一导电层向所述第一阻挡层扩散的扩...
【技术保护点】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：/n在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层；/n形成覆盖所述第一阻挡层的第一导电层；其中，所述第一导电层具有第二晶相结构，具有所述第二晶相结构的所述第一导电层与具有所述第一晶相结构的所述第一阻挡层的晶格匹配度满足预设条件。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层；
形成覆盖所述第一阻挡层的第一导电层；其中，所述第一导电层具有第二晶相结构，具有所述第二晶相结构的所述第一导电层与具有所述第一晶相结构的所述第一阻挡层的晶格匹配度满足预设条件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一衬底上形成第二阻挡层；其中，所述第一导电层向所述第二阻挡层扩散的扩散率，小于所述第一导电层向所述第一阻挡层扩散的扩散率；
所述在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层，包括：
基于所述第二阻挡层的形貌，在所述第一衬底上形成覆盖所述第二阻挡层的具有所述第一晶相结构的所述第一阻挡层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在具有第二导电层的所述第一衬底上形成绝缘层；
在所述绝缘层中形成沟道；其中，所述第二导电层的至少部分区域通过所述沟道显露；
所述在所述第一衬底上形成第二阻挡层，包括：
基于所述沟道的形貌，在所述第一衬底上形成覆盖所述沟道侧壁和所述沟道底部的所述第二阻挡层；其中，所述第二阻挡层，位于所述绝缘层和所述第一阻挡层之间，且位于所述第二导电层和所述第一阻挡层之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将第二衬底与形成有所述第一阻挡层及所述第一导电层的所述第一衬底贴合；其中，所述第二衬底与所述第一导电层连接。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第二衬底表面形成具有所述第二晶相结构的第三导电层；
所述将第二衬底与形成有所述第一阻挡层及所述第一导电层的所述第一衬底贴合，包括：
将所述第三导电层与所述第一导电层贴合。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一阻挡层还具有第三晶相结构；
所述具有所述第二晶相结构的所述第一导电层与具有所述第一晶相结构的所述第一阻挡层的晶格匹配度满足预设条件，包括：
所述第二晶相结构的第一导...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄驰，吕术亮，马亮，李远，孙祥烈，万先进，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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