晶圆级封装方法及晶圆级封装结构技术

本发明专利技术提出了的一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，方法包括：提供器件晶圆，器件晶圆具有器件区，器件区包括有效功能区和包围有效功能区的外围区；在器件晶圆的外围区形成支撑层；提供盖帽晶圆，盖帽晶圆具有有效区和无效区；对盖帽晶圆进行第一处理，在有效区形成盖帽层，使得有效区的表面高于无效区表面；将器件晶圆与盖帽晶圆键合，使得有效区与器件区相对，使得支撑层和盖帽层在有效功能区上形成空腔。能够有效保证盖帽层的强度并改善空腔结构，以及改善封装工艺过程中的晶圆翘曲问题，并降低成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级封装方法及晶圆级封装结构
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。
技术介绍
在各种半导体器件中，用波作为传播媒介(体声波、超声波等)的各种器件层出不穷，如各种滤波器，指纹传感器等。且随着技术的不断发展，这种器件的运用将愈加广泛。用波作为传播媒介(体声波、超声波等)的器件封装的一个难点在于为防止波在传播过程中逃逸，在器件的功能区需要构造出空腔结构来对声波进行反射，可有效减少输入信号的损耗，改善输出信号的波形。因此，一直以来，带有空腔结构的封装工艺是半导体封装的一项重大需求。随着封装工艺的不断发展，目前晶圆级封装(WLP，waferlevelpackage)由于其良好的重复性，封装周期短等优点成为封装业内的主流趋势。现有的WLP工艺中，一种方法为采用两层干膜分别制作支撑层和顶盖层形成空腔结构，该工艺方法存在干膜厚度大、成本高和顶盖层强度低的缺陷；另一种方法为分别采用高阻硅和干膜制作顶盖层和支撑层，以形成空腔结构，此方法需要进行硅通孔工艺(TSV)步骤，高阻硅和TSV工艺的成本均较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：/n提供器件晶圆，所述器件晶圆具有器件区，所述器件区包括有效功能区和包围所述有效功能区的外围区；/n在所述器件晶圆的所述外围区形成支撑层；/n提供盖帽晶圆，所述盖帽晶圆具有有效区和无效区；/n对所述盖帽晶圆进行第一处理，在所述有效区形成盖帽层，使得所述有效区的表面高于无效区表面；/n将所述器件晶圆与所述盖帽晶圆键合，使得所述有效区与所述器件区相对，使得所述支撑层和盖帽层在有效功能区上形成空腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：
提供器件晶圆，所述器件晶圆具有器件区，所述器件区包括有效功能区和包围所述有效功能区的外围区；
在所述器件晶圆的所述外围区形成支撑层；
提供盖帽晶圆，所述盖帽晶圆具有有效区和无效区；
对所述盖帽晶圆进行第一处理，在所述有效区形成盖帽层，使得所述有效区的表面高于无效区表面；
将所述器件晶圆与所述盖帽晶圆键合，使得所述有效区与所述器件区相对，使得所述支撑层和盖帽层在有效功能区上形成空腔。


2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述器件晶圆的所述外围区形成支撑层包括：
在所述器件晶圆的上表面涂覆一层干膜并使所述干膜固化成型，以形成初始支撑层；
对所述初始支撑层进行图形化工艺，去除所述器件晶圆的所述有效功能区上的初始支撑层以及部分外围区的初始支撑层，以形成所述支撑层。


3.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一处理的方法包括：
在所述盖帽晶圆上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述有效区表面；
以所述掩模层为掩模，对所述盖帽晶圆进行刻蚀，去除部分无效区的盖帽晶圆，以形成盖帽层；
形成盖帽层后，去除所述掩模层；
或者，
通过机械切割工艺对所述盖帽晶圆的一面进行切割，形成预设深度的网格状切割道，所述网格状切割道之间形成所述盖帽层，所述预设深度小于所述盖帽晶圆的厚度，所述盖帽层的厚度小于等于所述预设深度。


4.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述器件晶圆的外围区具有焊垫；所述封装方法还包括：在所述支撑层内形成第一通孔，所述第一通孔暴露出所述焊垫。


5.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述器件晶圆与所述盖帽晶圆键合包括：通过热压键合将所述盖帽层与所述支...

【专利技术属性】
技术研发人员：何旭，刘尧，施林波，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33