温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例公开了一种存储器的制作方法及存储器，所述方法包括：在第一衬底上形成具有第一晶相结构的第一阻挡层；形成覆盖所述第一阻挡层的第一导电层；其中，所述第一导电层具有第二晶相结构，具有所述第二晶相结构的所述第一导电层与具有所述第一晶相结构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。