一种芯片包覆封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片包覆封装结构，属于半导体封装技术领域。其芯片电极（112）的正面设有芯片电极钨塞孔（113），所述芯片单体（111）的正面设置钝化层（210），其钝化层开口（213）露出芯片电极钨塞孔（113）的正面，所述钝化层（210）的上表面设置再布线层（310），再布线层（310）与芯片电极钨塞孔（113）形成电气联通，并在再布线层（310）上方设置介电层（410），所述介电层开口（411）露出再布线层（310）的正面；在所述介电层开口（411）处设置铜凸块（500），与再布线（310）形成电气联通；在所述芯片单体（111）的四周和背面设置包封层（121）。本实用新型专利技术在晶圆重构前完成再布线层（210）的设置，解决了重构晶圆极小钝化层开口（213）对位偏移的问题。

A chip packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种芯片包覆封装结构
本技术涉及一种芯片包覆封装结构，属于半导体封装

技术介绍
随着无线手持设备、掌上电脑以及其他移动电子设备的增加，消费者对各种小外形、特征丰富产品的需求也与日俱增，微电子封装技术面临着电子产品“高性价比、高可靠性、多功能、小型化及低成本”发展趋势带来的挑战和机遇。圆片级芯片尺寸封装技术满足了电子产品向更加小型、更多功能、更高可靠性对电路组件的要求。然而圆片级芯片尺寸封装也面临着一些问题，随着芯片变的小而薄，而且其侧壁没有保护，在SMT时芯片的取放会造成边角应力，甚至芯片碎裂。尤其对于一些有着特殊性能的芯片，如带有钨塞孔的小开口、大电流的感光芯片，往往因其侧壁及背面实施保护不利，影响光屏蔽的效果，同时还存在漏电或短路现象。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，针对带有钨塞孔的小开口、大电流芯片提供一种侧壁绝缘、遮光保护、不易漏电或短路、解决芯片表面溢胶的包覆封装结构。本技术的目的是这样实现的：本技术一种芯片包覆封装结构，其包括芯片单体和芯片电极，所述芯片电极嵌入芯片单体的上表面，所述芯片电极的内部设有若干个芯片电极钨塞孔，所述芯片电极钨塞孔内填充金属钨，所述芯片单体的正面设置钝化层并开设钝化层开口，所述钝化层开口开设在芯片电极钨塞孔上方，并露出芯片电极钨塞孔的正面，所述钝化层的上表面设置再布线层，所述再布线层与芯片电极钨塞孔形成电气联通，并在再布线层上方设置介电层，并开设介电层开口，所述介电层开口露出再布线层的正面；>所述介电层开口处设置铜凸块，与再布线层形成电气联通，在铜凸块上方设置焊球；还包括包封层，所述包封层包裹芯片单体侧壁并向上延展至介电层的侧面。可选地，所述包封层还覆盖芯片单体的背面。可选地，所述芯片包覆封装结构的下表面设置一体膜保护层。可选地，所述钝化层开口范围为4~10微米。有益效果1、一种芯片包覆封装结构，其侧壁及背面设置保护，避免了芯片切割造成的芯片碎角或者侧壁裂纹，降低了SMT时芯片取放造成芯片破损发生的几率，提高了芯片的可靠性；并且，设置的包封层及防护层可以有效的保护芯片，使其功能不受外界因素干扰；2、本技术采用的包封层和保护层具有光屏蔽性能，感光芯片实施芯片包覆后可以达到光屏蔽的效果，使其芯片功能最优化；3、一种芯片包覆封装结构，其芯片较薄，在实施芯片包覆，将包封体减薄后极易产生较大的翘曲，增加后续工艺难度甚至导致产品碎裂，本技术采用了一体膜保护层，降低了工艺难度，减少了翘曲对工艺的影响。附图说明图1为本技术一种芯片包覆封装结构的剖面示意图；图2为图1的变形；其中：芯片单体111芯片电极钨塞孔113包封层121一体膜保护层122钝化层210钝化层开口213再布线层310介电层410介电层开口411铜凸块500焊球600硅基支撑载体710剥离膜730硅基支撑板800。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。实施例图1为本技术一种芯片包覆封装结构的剖面示意图；图2为图1的变形图；本技术一种芯片包覆封装结构，其芯片单体111的正面设置钝化层210并开设极小钝化层开口213，钝化层开口213小于15微米，一般地，钝化层开口213范围为4~10微米。芯片电极112嵌入芯片单体111的上表面，芯片电极112的正面设有芯片电极钨塞孔113，所述芯片电极钨塞孔113内填充金属钨，金属钨具有良好的导电性能。钝化层开口213露出芯片电极钨塞孔113的正面。钝化层210的上表面设置再布线层310，再布线层310通过钝化层开口213与芯片电极钨塞孔113形成电气联通。在再布线层310上方设置介电层410，并开设介电层开口411，介电层开口411露出再布线层310表面。在介电层开口411处由下而上依次设置金属种子层510和铜凸块500，与再布线层310形成电气联通，在铜凸块500上方设置焊球600。在芯片单体111的四周设置包封层121，该包封层121向上延展将介电层410的侧面包覆起来形成保护，如图1所示，形成芯片包覆封装结构，再在芯片包覆封装结构的下表面设置一体膜保护层122，以克服薄型产品尤其是薄型芯片的翘曲问题。包封层121还可以设置在芯片单体111的四周和背面，该包封层121向上延展将介电层410的侧面包覆起来形成保护，如图2所示，形成芯片包覆封装结构，再在芯片包覆封装结构的下表面设置一体膜保护层122，以克服薄型产品尤其是薄型芯片的翘曲问题。包封层121和一体膜保护层122均具有光屏蔽性能，感光芯片实施芯片包覆后可以达到光屏蔽的效果，使其芯片功能最优化，使其功能不受外界因素干扰。本技术一种芯片包覆封装结构解决了重构晶圆极小钝化层开口213对位偏移的问题。以上所述的具体实施方式，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步地详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施方式而已，并不用于限定本技术的保护范围，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片包覆封装结构，其特征在于，其包括芯片单体（111）和芯片电极（112），所述芯片电极（112）嵌入芯片单体（111）的上表面，/n所述芯片电极（112）的内部设有若干个芯片电极钨塞孔（113），所述芯片电极钨塞孔（113）内填充金属钨，/n所述芯片单体（111）的正面设置钝化层（210）并开设钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）开设在芯片电极钨塞孔（113）上方，并露出芯片电极钨塞孔（113）的正面，/n所述钝化层（210）的上表面设置再布线层（310），所述再布线层（310）与芯片电极钨塞孔（113）形成电气联通，并在再布线层（310）上方设置介电层（410），并开设介电层开口（411），所述介电层开口（411）露出再布线层（310）的正面；/n所述介电层开口（411）处设置铜凸块（500），与再布线层（310）形成电气联通，在铜凸块（500）上方设置焊球（600）；/n还包括包封层（121），所述包封层（121）包裹芯片单体（111）侧壁并向上延展至介电层（410）的侧面。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片包覆封装结构，其特征在于，其包括芯片单体（111）和芯片电极（112），所述芯片电极（112）嵌入芯片单体（111）的上表面，
所述芯片电极（112）的内部设有若干个芯片电极钨塞孔（113），所述芯片电极钨塞孔（113）内填充金属钨，
所述芯片单体（111）的正面设置钝化层（210）并开设钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）开设在芯片电极钨塞孔（113）上方，并露出芯片电极钨塞孔（113）的正面，
所述钝化层（210）的上表面设置再布线层（310），所述再布线层（310）与芯片电极钨塞孔（113）形成电气联通，并在再布线层（310）上方设置介电层（410），并开设介电层开口（411），所述介电层开口（411）露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐虹，陈栋，张黎，陈锦辉，赖志明，张国栋，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32