中介层电路、基材上覆晶圆上覆晶片电路与利用介面电路的方法技术

一种中介层电路、基材上覆晶圆上覆晶片电路与利用介面电路的方法。中介层电路包含基材及设置在基材的顶部上的介电层。中介层电路亦包含二层或以上的连接层，其是包含设置在介电层的不同深度中的第一连接层及第二连接层。中介层电路包含保险丝，其是设置在第一连接层内。第一连接层耦合至第一电源节点，且第二连接层耦合至第一接地节点。中介层电路还包含与保险丝串联的第一电容，且是连接在第一连接层及第二连接层之间。中介层电路亦包含在介电层的顶部上的第一微凸块、第二微凸块及第三微凸块，以使保险丝是耦合至第一微凸块及第二微凸块之间，而第一电容是耦合至第二微凸块及第三微凸块之间。

The method of using interface circuit and the circuit of medium layer circuit and wafer on substrate

【技术实现步骤摘要】
中介层电路、基材上覆晶圆上覆晶片电路与利用介面电路的方法
本揭露是关于一种基材上覆晶圆上覆晶片中介层与其利用方法，特别是关于一种具有选择性/程序化电容阵列的基材上覆晶圆上覆晶片中介层与其利用方法。
技术介绍
基材上覆晶圆上覆晶片(chiponwaferonsubstrate，CoWoS)是一种晶圆级的多晶片封装方法，其是整合许多小的晶片(小晶片，chiplet)并排在中介层上。小晶片可为系统单晶片(systemonchip，SOC)透过微凸块连接(在中介层顶部上)粘合至中介层。中介层利用硅穿孔(through-siliconvias，TSVs)以使硅穿孔自中介层的底部连接至基材上的微凸块连接。CoWoS的中介层透过基材上的焊锡凸块(solder-bump)连接接收电性电源连接，并通过中介层的顶部上的微凸块连接提供电性电源连接至小晶片。小晶片的电路(例如：系统单晶片的电路)的同步切换可瞬间以电流尖波(currentspike)的形式驱使大量电流，并以电压尖峰(voltagespike)的形式驱动同步切换杂讯(simultaneou本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中介层电路，其特征在于，包含：/n一基材；/n一介电层，设置在该基材的一顶部上；/n二层或以上的连接层，包含一第一连接层及一第二连接层，设置在该介电层的不同深度中，其中一保险丝设置在该第一连接层内，该第一连接层耦合至一第一电源节点，且该第二连接层耦合至一第一接地节点；/n一第一电容，与该保险丝串联，并连接在该第一连接层及该第二连接层之间；以及/n一第一微凸块、一第二微凸块及一第三微凸块，在该介电层的一顶部上，其中该保险丝耦合至该第一微凸块及该第二微凸块之间，该第一电容耦合至该第二微凸块及该第三微凸块之间，且该第一微凸块及该第二微凸块耦合至一电源供应器，以提供一电流至该保险丝。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,883;20191015 US 16/601,8291.一种中介层电路，其特征在于，包含：
一基材；
一介电层，设置在该基材的一顶部上；
二层或以上的连接层，包含一第一连接层及一第二连接层，设置在该介电层的不同深度中，其中一保险丝设置在该第一连接层内，该第一连接层耦合至一第一电源节点，且该第二连接层耦合至一第一接地节点；
一第一电容，与该保险丝串联，并连接在该第一连接层及该第二连接层之间；以及
一第一微凸块、一第二微凸块及一第三微凸块，在该介电层的一顶部上，其中该保险丝耦合至该第一微凸块及该第二微凸块之间，该第一电容耦合至该第二微凸块及该第三微凸块之间，且该第一微凸块及该第二微凸块耦合至一电源供应器，以提供一电流至该保险丝。


2.根据权利要求1所述的中介层电路，其特征在于，还包含：
一测试电路，配置以电性耦合至该第二微凸块及该第三微凸块，以测试该第一电容的一泄漏电流。


3.根据权利要求2所述的中介层电路，其特征在于，该测试电路是配置为耦合至该第一微凸块及该第二微凸块，以感应该保险丝的一第一电流，并烧断该保险丝。


4.根据权利要求1所述的中介层电路，其特征在于，该保险丝为一电子保险丝(e-fuse)，该电子保险丝在该第一微凸块及该第二微凸块之间施加一第一电压时断开连接，而该电子保险丝在该第一微凸块及该第二微凸块之间施加一第二电压时连接。


5.根据权利要求1所述的中介层电路，其特征在于，还包含：
二个或以上的硅穿孔，在该基材内，以提供该些连接层及一电压电源之间的电性连接，其中该电压电源是透过至少二个焊锡凸块耦合至该些硅穿孔，且该至少二个焊锡凸块是耦合至该基材的一底部的该些硅穿孔。

【专利技术属性】
技术研发人员：林亮臣，张仕承，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71