【技术实现步骤摘要】
金属-氧化物-金属电容结构
本专利技术涉及一种金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容结构，尤其是涉及一种三维(3-dimentional，3D)MOM电容结构。
技术介绍
MOM电容为一导体-介电质-导体(conductor-dielectric-conductor)的电容结构，常见于集成电路。在现有技术中，MOM电容的上、下电极常是以具有平整表面的金属条所构成，并以一维或二维方式穿插排列。然而，为了提高元件集成度，业界需要持续研发，以在有限的空间中制作出更高电容密度与电容存储量的电容元件。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的在于提供一种MOM电容结构，其包含三个方向极性相反穿插排列的3D结构，并具有以金属侧凸及金属插塞的电连接设计，以解决前述问题。本专利技术提供一种金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容结构，其包含一第一金属层与一第二金属。第一金属层包含：多个第一金属条(stripe)与多个第二金属条，沿着一第一方向延伸，该多个第...
【技术保护点】
1.一种金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容结构，其特征在于，包含：/n第一金属层，其包含：/n多个第一金属条(stripe)与多个第二金属条，沿着一第一方向延伸，该多个第一金属条与该多个第二金属条沿着一第二方向交错并排，其中该第一方向与该第二方向相交；/n多个第一金属侧凸(metal jog)，沿着该第二方向延伸，各该第一金属侧凸分别连接于该多个第一金属条的其中一个；以及/n多个第二金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第二金属侧凸分别连接于该多个第二金属条的其中一个；以及/n第二金属层，设于该第一金属层之上，该第二金属层包含：/n多个第三金属...
【技术特征摘要】
20181030 TW 1071383831.一种金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容结构，其特征在于，包含：
第一金属层，其包含：
多个第一金属条(stripe)与多个第二金属条，沿着一第一方向延伸，该多个第一金属条与该多个第二金属条沿着一第二方向交错并排，其中该第一方向与该第二方向相交；
多个第一金属侧凸(metaljog)，沿着该第二方向延伸，各该第一金属侧凸分别连接于该多个第一金属条的其中一个；以及
多个第二金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第二金属侧凸分别连接于该多个第二金属条的其中一个；以及
第二金属层，设于该第一金属层之上，该第二金属层包含：
多个第三金属条与多个第四金属条，沿着该第一方向延伸，该多个第三金属条与该多个第四金属条沿着该第二方向交错并排；
多个第三金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第三金属侧凸分别连接于该多个第三金属条的其中一个；以及
多个第四金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第四金属侧凸分别连接于该多个第四金属条的其中一个；
其中在一投影平面上，各该第三金属条的投影对应于该多个第二金属条的其中一个的投影，各该第四金属条的投影对应于该多个第一金属条的其中一个的投影，该多个第一金属条电连接于该多个第三金属条但不电连接于该多个第二金属条，且该多个第二金属条电连接于该多个第四金属条。
2.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容结构，其另包括：
多个第一连接元件，分别设置于该多个第一金属侧凸的其中一个以及该多个第三金属侧凸的其中一个之间，各该第一连接元件用来电连接位于该第一连接元件上、下两端的该第一金属侧凸与该第三金属侧凸；以及
多个第二连接元件，分别设置于该多个第二金属侧凸的其中一个以及该多个第四金属侧凸的其中一个之间，各该第二连接元件用来电连接位于该第二连接元件上、下两端的该第二金属侧凸与该第四金属侧凸。
3.如权利要求2所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中各该第一连接元件与各该第二连接元件分别为一金属插塞。
4.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈骏盛，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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