电子封装件及承载结构制造技术

本发明专利技术涉及一种电子封装件及承载结构，其中电子封装件包括：配置有线路层的介电基材、设于该线路层上且凸出该介电基材的强化部、以及接置于该强化部上的电子元件，其中，该强化部包含有第一金属层与形成于该第一金属层上的第二金属层，且该第二金属层的厚度大于或等于该第一金属层的厚度，以经由该强化部增强该介电基材中的整体线路层的强度，强化产品可靠度及产品作业良率。

Electronic package and bearing structure

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及承载结构
本专利技术有关一种半导体封装技术，特别是关于一种电子封装件及承载结构。
技术介绍
随着近年来可携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品的开发也朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势开发，各态样的封装(package)也因而配合推陈出新，以期能符合轻薄短小与高密度的要求。图1A为悉知半导体封装件的剖视示意图。如图1A所示，该半导体封装件1的制法于一封装基板10的置晶侧10a的线路接点(I/O)101上经由焊锡凸块110设置半导体元件11与被动元件12，再以封装胶体14包覆该半导体元件11与被动元件12，之后形成多个焊球13于该封装基板10的植球侧10b的植球垫103上，以于后续制程中，该半导体封装件1透过该焊球13接置如电路板或另一线路板的电子装置(图略)。目前封装基板10的形式种类繁多，例如较早期形式的基材(如介电体100)厚度及各线路层的层间距离均远大于较后期扇出(Fan-Out)形式的基材厚度及各重布线路层(redistributionlayer，简称RDL)的层间距离，若将较早期形式的电性接触垫的设计应用至较后期扇出形式以作为线路接点101，则该基材强度及各线路层的层间允许变形量均会降低，故于点胶或模压制程后的结构中容易发生该封装基板10的RDL的层间强度不良，并造成该些焊球13内聚(如图1A所示的箭头方向X1,X2)，甚而导致该RDL形变(如图1B所示，该封装基板10的线路层102由平面变成局部拢起面貌)，且于该封装基板10的置晶侧10a，该半导体元件11与该被动元件12的下方易发生脱层、或模压制程的封装胶体14未填满预定封装空间而形成气洞(void)a，以致于超音波显微扫描(ScanningAcousticTomography，简称SAT)的检测呈现不良，且于可靠度的验证过程更易发生该焊锡凸块110的焊料溢流(solderextension)的电性异常、或该半导体元件11与该被动元件12的下方脱层所致的爆米花(popcorn)现象。因此，如何克服上述悉知技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述悉知技术的缺失，本专利技术提供一种电子封装件及承载结构，可强化产品可靠度及产品作业良率。本专利技术的承载结构，包括：一介电基材，其配置有线路层；以及多个强化部，其形成于该线路层上，且该强化部凸出该介电基材，其中，该强化部包含有第一金属层与形成于该第一金属层上的第二金属层，且该第二金属层的厚度大于或等于该第一金属层的厚度。本专利技术还提供一种电子封装件，包括：一如前述的承载结构；以及至少一电子元件，其接置于该强化部上。前述的电子封装件中，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。前述的电子封装件中，还包括包覆层，其形成于该承载结构上，以包覆该电子元件。前述的电子封装件中，还包括导电元件，其形成于该承载结构的部分线路层上。前述的电子封装件及承载结构中，该承载结构的厚度为4至8微米。前述的电子封装件及承载结构中，该强化部凸出该介电基材的高度为至少15微米。前述的电子封装件及承载结构中，该第一金属层为钛层，而该第二金属层为铜层。该第二金属层的厚度为20至30微米。进一步，该强化部还具有一形成于该第二金属层上的第三金属层，且该第三金属层为镀锡层。例如，该第三金属层的布设面积全面或局部覆盖该第二金属层的顶面，亦或，该第三金属层的布设面积为该第二金属层的顶面的面积的60％至80％。由上可知，本专利技术的电子封装件及承载结构中，主要经由该线路层上形成有强化部，并使该强化部凸出该介电基材，以增强该承载结构的整体线路层的强度，故相较于悉知技术，本专利技术不仅能避免导电元件发生内聚，且能避免该承载结构的线路层发生变形，以强化产品可靠度及产品作业良率。附图说明图1A为悉知半导体封装件的剖面示意图。图1B为图1A的不良状态的剖面示意图。图2为本专利技术的电子封装件的剖面示意图。图3A至图3C为图2的不同实施例的局部放大图。图4A至图4C为图3C的不同实施例的局部上视示意图。符号说明1半导体封装件10封装基板10a置晶侧10b植球侧100介电体101线路接点102线路层103,203植球垫11半导体元件12被动元件110焊锡凸块13焊球14封装胶体2电子封装件20承载结构20a第一表面20b第二表面200介电基材201,202电性接触垫21第一电子元件210,220导电凸块22,22’第二电子元件23导电元件24,26包覆层25,35,35’强化部251,351第一金属层252,352第二金属层252a顶面27凸块底下金属层353,453,453’第三金属层a气洞h高度D,r,r’,t,t’厚度X1,X2箭头方向。具体实施方式以下经由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图2为本专利技术的电子封装件2的剖面示意图。如图2所示，所述的电子封装件2包括一承载结构20、至少一设于该承载结构20上的第一电子元件21、至少一第二电子元件22,22’、多个导电元件23、多个强化部25以及至少一包覆层24,26。所述的承载结构20具有相对的第一表面20a与第二表面20b，且该承载结构20包含介电基材200以及与线路层(未图示)连接的多个电性接触垫201,202及多个植球垫203。于本实施例中，该承载结构20为具有介电基材200及结合于该介电基材200中的多个线路层的扇出(fanout)型重布线路层(redistributionlayer，简称RDL)，且该多个电性接触垫201及多个植球垫203设置于该承载结构20的该第一表面20a，而于该承载结构20的第二表面20b上具有多个电性接触垫202。于另一实施例中，该承载结构20为具有核心层与线路结构的封装基板(substrate)或无核心层(coreless)的线路结构。本实施例中，该承载结构20的介电基材200材质可为聚酰亚胺(polyimide，简称PI)或预浸材(Prepreg,简称PP)..等，但不以此为限。此外，该承载结构20的厚度D为4至8微米。...

【技术保护点】
1.一种承载结构，其特征在于，包括：/n一介电基材，其配置有电性接触垫；以及/n多个强化部，其形成于该电性接触垫上，且该强化部凸出该介电基材，其中，该强化部包含有第一金属层与形成于该第一金属层上的第二金属层，且该第二金属层的厚度大于或等于该第一金属层的厚度。/n

【技术特征摘要】
20181017 TW 1071365311.一种承载结构，其特征在于，包括：
一介电基材，其配置有电性接触垫；以及
多个强化部，其形成于该电性接触垫上，且该强化部凸出该介电基材，其中，该强化部包含有第一金属层与形成于该第一金属层上的第二金属层，且该第二金属层的厚度大于或等于该第一金属层的厚度。


2.根据权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该承载结构的厚度为4至8微米。


3.根据权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该强化部凸出该介电基材的高度为至少15微米。


4.根据权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该第一金属层为钛层。


5.根据权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该第二金属层为铜层。


6.根据权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该第二金属层的厚度为20至30微米。


7.根据权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该强化部还具有一形成于该第二金属层上的第三金属层。


8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡芳霖，翁培耕，许智勋，谢沛蓉，姜亦震，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71