半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明专利技术的一些实施例，一种半导体结构包括：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。

Semiconductor structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
集成芯片的晶体管装置经配置以实现集成芯片的逻辑功能，例如电容器、电阻器、电感器、变容器或其它被动装置。电容器为可用于存储电势能的晶体管装置中的一者。电容器还可用于阻断直流电，同时允许交流电通过、使电力供应器的输出平滑、调谐频率或稳定电压及功率流。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，一种半导体结构包含：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。根据本专利技术的一实施例，一种半导体结构包含：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；通路，其穿透所述底部端子；以及间隔物，其位于所述通路的侧壁上。根据本专利技术的一实施例，一种用于制造半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其包含：/n底部端子；/n中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；/n顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及/n氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。/n

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,465;20190131 US 16/264,0591.一种半导体结构，其包含：
底部端子；
中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；
顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及
氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包含穿透所述底部端子的通路。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述通路由导电材料构成。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述导电材料包含铝-铜。


5.根据权利要求2所述的半导体结构，其进一步包含在所述通路的侧壁上的间隔物。


6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述间隔物接触所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东骏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71