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本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包括：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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