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金属-氧化物-金属电容结构制造技术
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文档序号:24098908
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本发明公开一种金属‑氧化物‑金属(MOM)电容结构,其包含一第一金属层与一第二金属层。第一金属层包含多个第一金属条与第二金属条,沿着一第一方向延伸。第一金属层还包括多个第一金属侧凸与多个第二金属侧凸沿着第二方向延伸,各第一金属侧凸分别连接于...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。
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