集成芯片以及形成集成芯片的方法技术

在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底上的介电结构。多个导电互连层设置在介电结构内。多个导电互连层包括互连线和互连通孔的交替层。金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器配置在介电结构内。MIM电容器具有通过电容器介电结构与上导电电极分离的下导电电极。MIM电容器垂直延伸穿过多个导电互连层中的两个或多个。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。

Integrated chip and method of forming integrated chip

【技术实现步骤摘要】
集成芯片以及形成集成芯片的方法
本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及集成芯片以及形成集成芯片的方法。
技术介绍
集成芯片形成在包括数百万或数十亿晶体管器件的半导体管芯上。晶体管器件被配置为用作开关和/或产生功率增益，以便为集成芯片实现逻辑功能(例如，形成配置成执行逻辑功能的处理器)。集成芯片还包括无源器件，例如电容器、电阻器、电感器、变容二极管等。无源器件广泛用于控制集成芯片性能，例如增益、时间常数等。
技术实现思路
根据本申请的实施例，提供了一种集成芯片，包括：介电结构，设置在衬底上；多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述MIM电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个。根据本申请的实施例，提供了一种集成芯片，包括：介电结构，设置在衬底上，其中，所述介电结构包括由多个蚀刻停止层间隔开的多个堆叠的层间介电(ILD)层；多个导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n介电结构，设置在衬底上；/n多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及/n金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述MIM电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个。/n

【技术特征摘要】
20181030 US 62/752,628;20190327 US 16/365,9041.一种集成芯片，包括：
介电结构，设置在衬底上；
多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及
金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述MIM电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个。


2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述下导电电极具有在所述下导电电极的最底表面和所述下导电电极的面向所述衬底的下表面之间垂直延伸的侧壁。


3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述下导电电极的下表面与最接近的下面的蚀刻停止层以非零距离间隔开。


4.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述介电结构包括层间介电(ILD)层，所述层间介电(ILD)层从所述下表面的正下方连续延伸到所述上导电电极的正上方。


5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述下导电电极从横向围绕所述MIM电容器的ILD层的底表面向下突出。


6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，平行于所述衬底的上表面的水平面沿着所述多个导电互连层中的一个的底部并且穿过所述MIM电容器的侧壁延伸。


7.根据权利要求1所述的集成芯片，
其中，所述介...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥诚司，王铨中，杨敦年，林荣义，施俊吉，亚历山大·卡尔尼斯基，黄益民，廖家庆，洪升晖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71