【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术构思涉及半导体器件，更具体地，涉及包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的半导体器件。
技术介绍
通常，随着诸如随机存取存储器(DRAM)装置的半导体器件的集成(例如，密度)提高，单位单元(例如DRAM存储单元)的物理面积(例如尺寸)减小，进而由单位单元的电容器占据的面积也减小。希望电容器保持类似的电容，尽管电容器的面积的这种减小。因此，为了支持半导体器件的更大的集成，增大电容的结构和/或增大电容的制造方法会是期望的。关于金属-绝缘体-半导体电容器，当减小电介质层的厚度以增大电容时，泄漏电流特性会变差。因此，期望采用高k电介质层或介电常数高的电介质层。然而，当在金属-绝缘体-半导体电容器中使用高k电介质层时，低k电介质层形成在高k电介质层和用作电容器的顶电极的多晶硅层之间，结果不能获得期望的电容。因此，已经引入金属-绝缘体-金属(MIM)电容器来代替金属-绝缘体-半导体电容器。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施方式提供具有改善的电特性的半导体器件。根据本专利...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n在基板上的第一电极；/n在所述第一电极上的第二电极；/n在所述第一电极和所述第二电极之间的第一电介质层；/n在所述第二电极上的第三电极；/n在所述第二电极和所述第三电极之间的第二电介质层；以及/n第一接触插塞，穿透所述第三电极并接触所述第一电极，/n其中所述第一接触插塞接触所述第三电极的顶表面和所述第三电极的侧表面。/n
【技术特征摘要】
20181030 KR 10-2018-01310691.一种半导体器件，包括：
在基板上的第一电极；
在所述第一电极上的第二电极；
在所述第一电极和所述第二电极之间的第一电介质层；
在所述第二电极上的第三电极；
在所述第二电极和所述第三电极之间的第二电介质层；以及
第一接触插塞，穿透所述第三电极并接触所述第一电极，
其中所述第一接触插塞接触所述第三电极的顶表面和所述第三电极的侧表面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一接触插塞穿透所述第一电介质层和所述第二电介质层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一接触插塞的底表面在所述第一电极的顶表面和所述第一电极的底表面之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述第一接触插塞包括：
第一区段，其至少一部分在所述第三电极的所述顶表面之上，和
第二区段，在所述第三电极的所述顶表面和所述第一电极的底表面之间，以及
所述第一区段的宽度大于所述第二区段的宽度。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中
所述第一区段的第一表面没有被所述第二区段覆盖，以及
所述第二区段与所述第一区段的所述第一表面相邻并从所述第一区段的所述第一表面朝向所述基板的顶表面延伸，
所述第一区段的所述第一表面平行于所述基板的所述顶表面。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：
在所述第三电极的所述顶表面上的缓冲电介质层，
其中所述缓冲电介质层不覆盖所述第三电极的所述顶表面的第一部分，所述第三电极的所述顶表面的所述第一部分与所述第一接触插塞接触，所述缓冲电介质层覆盖所述第三电极的所述顶表面的第二部分，所述第三电极的所述顶表面的所述第二部分与所述第一区段的所述第一表面共面。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：
在所述第三电极的所述顶表面上的缓冲电介质层，
其中所述缓冲电介质层不覆盖所述第三电极的所述顶表面的第一部分，所述第三电极的所述顶表面的所述第一部分与所述第一接触插塞接触，所述缓冲电介质层覆盖所述第三电极的所述顶表面的第二部分，所述第三电极的所述顶表面的所述第二部分处于比所述第一区段的所述第一表面的水平高的水平。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中
所述第一接触插塞包括彼此面对的第一侧表面和第二侧表面，
所述第一区段的所述第一侧表面和所述第二区段的所述第一侧表面彼此不对准，
所述第一区段的所述第二侧表面和所述第二区段的所述第二侧表面彼此对准，以及
所述第一区段的所述第一表面将所述第一区段的所述第一侧表面连接到所述第二区段的所述第一侧表面。
9.根据权利要求4所述的半导体器件，其中
所述第一区段的第一表面和所述第一区段的第二表面没有被所述第二区段覆盖，
所述第一区段的所述第一表面和所述第一区段的所述第二表面平行于所述基板的顶表面，
所述第二区段在所述第一区段的所述第一表面和所述第一区段的所述第二表面之间，并从所述第一区段的所述第一表面和所述第一区段的所述第二表面之间的所述第一区段的表面朝向所述基板的顶表面延伸，
所述第一接触插塞还包括彼此面对的第一侧表面和第二侧表面，
所述第一区段的所述第一侧表面和所述第二区段的所述第一侧表面彼此不对准，
所述第一区段的所述第二侧表面和所述第二区段的所述第二侧表面彼此不对准，
所述第一区段的所述第一表面将所述第一区段的所述第一侧表面连接到所述第二区段的所述第一侧表面，以及
所述第一区段的所述第二表面将所述第一区段的所述第二侧表面连接到所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁少锋，朴桭胡，方镛胜，安正勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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