半导体元件的制造方法技术

一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。在半导体基板上方形成栅极堆叠。在栅极堆叠的侧壁上形成第一间隔层。在第一间隔层上方形成牺牲间隔膜。在半导体基板上形成磊晶结构。在牺牲间隔膜上执行蚀刻制程以在第一间隔层与磊晶结构之间形成间隙。牺牲间隔膜的外部具有与在执行蚀刻制程之后牺牲间隔膜的内部相比较高的最顶端。方法进一步包括形成第二间隔层以密封在磊晶结构与第一间隔层之间的间隙。

Manufacturing methods of semiconductor components

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制造方法
本揭露是关于半导体元件的制造方法。
技术介绍
半导体集成电路材料及设计的技术进展已产生数代半导体集成电路，其中与前代相比，每代具有更小且更复杂的电路。在半导体集成电路发展过程中，功能密度(亦即，单位晶片面积互连装置的数量)大体已增加而几何大小(亦即，可以使用制造制程产生的最小部件(或接线))已减小。此缩小过程通常通过增加生产效率并降低相关成本来提供益处。
技术实现思路
在一些实施例中，一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。在半导体基板上方形成栅极堆叠。在栅极堆叠的侧壁上形成第一间隔层。在第一间隔层上方形成牺牲间隔膜，牺牲间隔膜具有最远离第一间隔层的外部以及最靠近第一间隔层的内部。在半导体基板上形成磊晶结构。在牺牲间隔膜上执行蚀刻制程以在第一间隔层与磊晶结构之间形成间隙，在蚀刻制程中的牺牲间隔膜的外部的蚀刻速率与在蚀刻制程中的牺牲间隔膜的内部的蚀刻速率相比较慢。形成第二间隔层以密封间隙。附图说明当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭露的态样。应注意，根据工业中的标准本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：/n在一半导体基板上方形成一栅极堆叠；/n在该栅极堆叠的一侧壁上形成一第一间隔层；/n在该第一间隔层上方形成一牺牲间隔膜，该牺牲间隔膜具有最远离该第一间隔层的一外部以及最靠近该第一间隔层的一内部；/n在该半导体基板上形成一磊晶结构；/n在该牺牲间隔膜上执行一蚀刻制程以在该第一间隔层与该磊晶结构之间形成一间隙，其中在该蚀刻制程中的该牺牲间隔膜的该外部的一蚀刻速率与在该蚀刻制程中的该牺牲间隔膜的该内部的一蚀刻速率相比较慢；以及/n形成一第二间隔层以密封该间隙。/n

【技术特征摘要】
20181030 US 62/752,856;20190514 US 16/412,0071.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
在一半导体基板上方形成一栅极堆叠；
在该栅极堆叠的一侧壁上形成一第一间隔层；
在该第一间隔层上方形成一牺牲间...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖柏宇，李凯璿，李威养，杨丰诚，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71