一种制作半导体元件的方法技术

本发明专利技术公开一种制作半导体元件的方法。首先形成多个鳍状结构于一基底上，然后利用异丙醇(isopropyl alcohol)进行一冲洗(rinse)制作工艺，随后进行一烘烤制作工艺，再形成一栅极氧化层于该等鳍状结构上。依据本发明专利技术的优选实施例，冲洗制作工艺之时间较佳介于15秒至60秒，烘烤制作工艺的温度较佳介于摄氏50度至摄氏100度，另外烘烤制作工艺的时间较佳介于5秒至120秒。

A method of making semiconductor components

【技术实现步骤摘要】
一种制作半导体元件的方法
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种于形成鳍状结构后进行冲洗制作工艺的方法。
技术介绍
随着场效晶体管(fieldeffecttransistors,FETs)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(finfieldeffecttransistor,FinFET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子通道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(draininducedbarrierlowering,DIBL)效应，并可以抑制短通道效应(shortchanneleffect,SCE)。再者，由于鳍状场效晶体管元件在同样的栅极长度下会具有更宽的通道宽度，因而可获得加倍的漏极驱动电流。甚而，晶体管元件的临界电压(thresholdvoltage)也本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：/n形成鳍状结构于基底上；/n利用异丙醇(isopropyl alcohol)进行冲洗(rinse)制作工艺；/n进行烘烤制作工艺；以及/n形成栅极氧化层于该鳍状结构上。/n

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：
形成鳍状结构于基底上；
利用异丙醇(isopropylalcohol)进行冲洗(rinse)制作工艺；
进行烘烤制作工艺；以及
形成栅极氧化层于该鳍状结构上。


2.如权利要求1所述的方法，另包含：
进行等离子体处理制作工艺以形成氧化层于该鳍状结构以及该基底间；
进行第一清洗制作工艺去除该氧化层；
进行第二清洗制作工艺去除聚合物；以及
进行第三清洗制作工艺去除微粒。


3.如权利要求2所述的方法，另包含利用氧气来进行该等离子体处理制作工艺。


4.如权利要求3所述的方法，其中该等离子体处理制作工艺的温度介于摄氏135度至摄氏165度。


5.如权利要求3所述的方法，其中该等离子体处理制作工艺的压力介于0.9托至1.1托。


6.如权利要求3所述的方法，其中该等离子体处理制作工艺的时间介于2.7分钟至3.3分钟。

【专利技术属性】
技术研发人员：林伯璋，黄柏翰，陈致中，林俊贤，蔡世鸿，谢柏光，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71