LDMOS器件及提升其热载流子注入效应寿命的方法技术

本发明专利技术实施例提出一种提升LDMOS器件的热载流子注入效应寿命的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有LDMOS器件的漏极掺杂区，所述漏极掺杂区平行于导电沟道的长度方向的至少一侧形成有浅沟槽隔离结构，所述漏极掺杂区的掺杂类型为第一导电类型；进行第二导电类型杂质离子的掺杂，在所述漏极掺杂区与浅沟槽隔离结构至少一个交界处形成阻流区；所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；然后检测所述LDMOS器件线性区电流，根据所述线性区电流的退化程度评估所述LDMOS器件的热载流子注入效应寿命，可以让载流子尽量避免被交界处错位晶格捕获，降低了对线性区电流退化的影响，通过改善线性区电流退化问题提高了LDMOS器件的热载流子寿命。

LDMOS devices and methods to improve the lifetime of hot carrier injection effect

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及提升其热载流子注入效应寿命的方法
本专利技术涉及LDMOS(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)
，尤其涉及一种LDMOS器件及提升其热载流子注入效应(hotcarrierinjection，简称HCI)寿命的方法。
技术介绍
LDMOS器件例如NLDMOS器件的热载流子注入效应会引起器件参数的退化,大大降低了器件的可靠性和工作寿命，故热载流子注入效应是评价LDMOS器件工作寿命的一个重要指标。目前，通常是依据LDMOS器件的线性区电流的退化程度来评价LDMOS器件的热载流子注入效应寿命。一般来说，LDMOS器件的线性区电流的退化程度越小，LDMOS器件的热载流子注入效应寿命越长。在LDMOS器件例如NLDMOS器件的生产制造过程中，使用SIN(氮化硅)做硬掩模进行0.18um浅沟槽隔离(简称STI)刻蚀，然后使用形成线型氧化层(lineroxide)的炉管制程进行晶格修复。但是在浅沟槽隔离结构与有源区之间的交界处还是会产生错位的晶格。在考核热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提升LDMOS器件的热载流子注入效应寿命的方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供衬底，所述衬底中形成LDMOS器件的漏极掺杂区，所述漏极掺杂区平行于导电沟道的长度方向的至少一侧形成浅沟槽隔离结构，所述漏极掺杂区的掺杂类型为第一导电类型；/n进行第二导电类型杂质的掺杂，在所述漏极掺杂区与浅沟槽隔离结构的至少一个交界处形成阻流区；所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。/n

【技术特征摘要】
1.一种提升LDMOS器件的热载流子注入效应寿命的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底中形成LDMOS器件的漏极掺杂区，所述漏极掺杂区平行于导电沟道的长度方向的至少一侧形成浅沟槽隔离结构，所述漏极掺杂区的掺杂类型为第一导电类型；
进行第二导电类型杂质的掺杂，在所述漏极掺杂区与浅沟槽隔离结构的至少一个交界处形成阻流区；所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底上形成栅极，所述栅极下方的衬底中形成导电沟道区，所述栅极的一侧的衬底中形成源极掺杂区，所述栅极的另一侧的衬底中形成所述漏极掺杂区，在所述栅极与所述漏极掺杂区之间的衬底中形成漂移区，所述源极掺杂区和所述漂移区的掺杂类型均为第一导电类型；
所述漏极掺杂区和所述漂移区平行于导电沟道的长度方向的至少一侧形成所述浅沟槽隔离结构；
所述阻流区形成于所述漏极掺杂区与浅沟槽隔离结构的交界处，并延伸到所述漂移区与浅沟槽隔离结构的交界处，所述阻流区与所述栅极之间有间隔。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述源极掺杂区、所述导电沟道区、所述漂移区及所述漏极掺杂区组成的有源区四周均形成所述浅沟槽隔离结构，所述阻流区还延伸到所述漏极掺杂区的平行于导电沟道的宽度方向的一侧的浅沟槽隔离结构中。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述漏极掺杂区在平行于导电沟道的宽度方向上的尺寸与所述阻流区在平行于导电沟道的宽度方向上的尺寸的比例范围为100:1至1000:1，所述进行第二导电类型杂质的掺杂之后的步骤包括：在所述阻流区的表面形成硅化金属阻挡层。


5.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
衬底；
栅极，形成于衬底上；
导电沟道区，位于栅极下方的衬底中；
源极掺杂区，位于所述栅极的一侧的衬底中；
漏极掺杂区，位于所述栅极的另一侧的衬底中；所述漏极掺杂区平行于导电沟道的长度方向的至少一侧设有浅沟槽隔离结构，所述源极掺杂区和所述漏极掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宏峰，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32