一种薄膜元件的制造方法技术

一种薄膜元件的制造方法包含形成一栅极金属层于一基板，再形成一栅极绝缘层于该栅极金属层上。接着，形成至少一含硅层于该栅极绝缘层上，之后闪光灯退火该栅极金属层以及该含硅层，并形成一源极金属层以及一漏极金属层于该含硅层上。闪光灯退火结晶可一次性、大面积对于薄膜发射高能量闪光，非晶硅层受到足够光能量即发生结晶。含硅层的掺杂层与源极‑漏极金属层相接，拥有较佳的欧姆接触(ohmic contact)特性。

A manufacturing method of thin film element

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜元件的制造方法
本专利技术是关于一种薄膜元件的制造方法，尤其是一种背通道蚀刻半导体薄膜元件的制造方法。
技术介绍
为了简化薄膜晶体管的制作，背通道蚀刻(backchanneletch,BCE)的结构是目前相当普遍的制程方法。在制造多硅晶体管时，首先形成非晶(非晶形)硅(a-Si)薄膜，然后通过激光退火转变成多晶，激光光照非晶硅可达成转变为结晶状态。目前广泛使用准分子激光退火(ecimerlaserannealing,ELA)作为激光退火的激光，准分子激光为波长在308纳米或更短的紫外线波长范围的脉冲振荡激光，产生粒度小的粒状结晶。然而，准分子激光退火结晶技术是皆受限于线束的长度。例如，准分子激光退火线束在大面积薄膜的整个宽度或长度上无法提供一致的光束性质。因此，准分子激光退火扫瞄只能在小区块的膜面积中执行，其必须使基板移动于x和y两者方向，才得以成功地处理该薄膜。相较于扫瞄较小的膜，扫瞄于x和y两者方向不仅增加了制程时间，并且其也产生了具有束边缘的更低品质的膜与多个结晶扫瞄间的不一致性。背通道蚀刻的制程因为先制作栅极金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜元件的制造方法，其特征在于，其步骤包含：/n形成一栅极金属层于一基板；/n形成一栅极绝缘层于该栅极金属层上；/n形成一含硅层于该栅极绝缘层上；/n闪光灯退火该含硅层；以及/n形成一源极-漏极金属层于该含硅层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜元件的制造方法，其特征在于，其步骤包含：
形成一栅极金属层于一基板；
形成一栅极绝缘层于该栅极金属层上；
形成一含硅层于该栅极绝缘层上；
闪光灯退火该含硅层；以及
形成一源极-漏极金属层于该含硅层上。


2.根据权利要求1所述的薄膜元件的制造方法，其特征在于，在闪光灯退火该含硅层的步骤后，还包含：
形成一源极-漏极绝缘层于该含硅层上，并位于该含硅层和该源极-漏极金属层之间。


3.根据权利要求1所述的薄膜元件的制造方法，其特征在于，形成该含硅层于该栅极绝缘层上的步骤还包含：
形成至少一掺杂层于该含硅层。


4.根据权利要求1所述的薄膜元件的制造方法，其特征在于，形成该含硅层于该栅极绝缘层上的步骤还包含图案化该含硅层，其中图案化该含硅层的步骤包括：
形成一光阻层于该含硅层上；
微影蚀刻该含硅层；以及
移除该光阻层。


5.根据权利要求1所述的薄膜元件的制造方法，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振宇，林熙乾，林建宏，刘正平，柯山文，
申请(专利权)人：宸鸿光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71