【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本揭示内容是关于一种制造技术，且特别是关于一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
为了结晶化半导体，一般而言考虑到基板的内受温度，准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing，ELA)的制程是目前较常采用的技术。然而，线扫描(Linearscanning)的准分子激光退火受限于激光光点的尺寸而无法一次处理大面积的区域，并且由于每一个激光光点的功率不稳定，造成均匀性不佳而容易产生斑(Mura)的问题。因此，产能与基板的面积难以提高，生产成本居高不下之外，结晶品质与晶粒尺寸亦不理想。此外，若欲利用半导体结晶部分制作元件，则需要根据最终制作完成的元件的位置，调整所采用的制程以结合结晶位置与元件位置，并决定结晶方向。此种方式常造成元件结晶化情形难以掌握，以及结晶强度一致性不高的现象。
技术实现思路
为了提高用于制作半导体元件的结晶部分的结晶强度一致性，本揭示内容是提供一种半导体装置，其包含半导体岛区与半导体元件。半导体岛区位于基板的第一面上，并包含结晶部分，其是由闪光...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：/n利用一闪光灯与一光罩，照射一基板的一第一面上的一半导体岛区以形成一结晶部分，其中该半导体岛区为非晶态或微结晶态，该结晶部分对应该光罩的一透光区域；以及/n利用该结晶部分形成一半导体元件，其中该半导体元件的一通道位于该结晶部分内。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
利用一闪光灯与一光罩，照射一基板的一第一面上的一半导体岛区以形成一结晶部分，其中该半导体岛区为非晶态或微结晶态，该结晶部分对应该光罩的一透光区域；以及
利用该结晶部分形成一半导体元件，其中该半导体元件的一通道位于该结晶部分内。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：
利用该闪光灯与该光罩，由该第一面照射该半导体岛区，其中该半导体岛区包含一第一部分与一第二部分，该第二部分位于该透光区域的一投影区域内，该第一部分邻近该第二部分；以及
该第二部分从该第二部分与该第一部分的一接面开始结晶化，以形成该结晶部分。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：
设置一光调节层于该基板的该第一面，以位于该半导体岛区和该基板之间；
设置一绝缘层，以覆盖于该基板的该第一面及该光调节层，其中该半导体岛区形成于该绝缘层的表面上；
利用该闪光灯与该光罩，由该基板的相对于该第一面的一第二面照射该半导体岛区，该半导体岛区位于该透光区域的一投影区域内，并包含一第三部分与一第四部分，该光调节层对应于该第三部分，该第三部分邻近该第四部分；以及
该第四部分从该第四部分与该第三部分的一接面开始结晶化，以形成该结晶部分。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该光罩还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：林建宏，刘振宇，
申请(专利权)人：宸鸿光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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