有机发光二极管结构及其形成方法技术

一种有机发光二极管结构及其形成方法在此揭露。此方法包含形成一经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层于一半导体基板上；形成一经近红外光吸收官能基修饰的发光层于经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层上；形成一经近红外光吸收官能基修饰的第二载子传递层于经近红外光吸收官能基修饰的发光层上，以形成一发光堆叠层；提供一图案化遮罩于发光堆叠层上；以及以一光照射发光堆叠层以移除未被图案化遮罩掩盖的区域，形成一发光堆叠结构，其中发光堆叠层中的各层对于波长大于600nm的光其吸收强度大于10

Structure and formation method of organic light emitting diode

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管结构及其形成方法
本专利技术是有关一种有机发光二极管结构及其形成方法，特别是有关一种含有经近红外光吸收官能基修饰的有机材料薄膜的有机发光二极管结构及其形成方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)具有广视角、高对比、低耗电、应答速度快、低操作电压、制程简单及具有自发光性而不需背光模组等优点，因此能够大幅降低制作成本，被认为是深具竞争力的显示技术。有机发光二极管基本上是多层薄膜结构，包含阳极、阴极及位于阳极和阴极之间的有机材料薄膜。一种传统形成有机发光二极管结构的方法，其是利用热蒸镀将有机发光二极管中的各层有机材料薄膜制作于基板之上，再进行贴合封装以完成有机发光二极管元件。另一种传统形成有机发光二极管结构的方法，其是遮罩转印微影技术(Flashmasktransferlithography)，首先，将一具有吸热能力的吸收层形成于一含有图案化反射层的予体基板上，再将单层有机材料薄膜形成于吸收层上，接着，从予体基板的下方提供光照，部分光照被反射层阻挡而无法被吸收层吸收，而未本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，包含：/n形成一经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层于一半导体基板上；/n形成一经近红外光吸收官能基修饰的发光层于该经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层上；/n形成一经近红外光吸收官能基修饰的第二载子传递层于该经近红外光吸收官能基修饰的发光层上，以形成一发光堆叠层；/n提供一图案化遮罩于该发光堆叠层上；以及/n以一光照射该发光堆叠层以移除未被该图案化遮罩掩盖的区域，形成一发光堆叠结构，其中该发光堆叠层中的各层对于波长大于600nm的该光其吸收强度大于10

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，包含：
形成一经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层于一半导体基板上；
形成一经近红外光吸收官能基修饰的发光层于该经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层上；
形成一经近红外光吸收官能基修饰的第二载子传递层于该经近红外光吸收官能基修饰的发光层上，以形成一发光堆叠层；
提供一图案化遮罩于该发光堆叠层上；以及
以一光照射该发光堆叠层以移除未被该图案化遮罩掩盖的区域，形成一发光堆叠结构，其中该发光堆叠层中的各层对于波长大于600nm的该光其吸收强度大于100.2。


2.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该近红外光吸收官能基包含硝基(-NO2)、羟基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C＝O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基的基团。


3.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该第一载子传递层为一空穴传递层，该第二载子传递层为一电子传递层。


4.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，进一步包含形成一经近红外光吸收官能基修饰的第一载子注入层于该半导体基板上，在形成该经近红外光吸收官能基修饰的第一载子传递层于该半导体基板上之前。


5.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该发光堆叠层的各层材料各具有一分子能阶，该分子能阶的最高占有轨道小于或等于-4.5eV、该分子能阶的最低占有轨道小于或等于-1.8eV或该分子能阶的最高占有轨道与该分子能阶的最低占有轨道的能阶差介于2～4.5eV。


6.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构的形成方法，其特征在于，该光是由一光源发出，该光源是选自由闪光灯、激光灯、发光二极管、卤素灯、冷阴极射线管灯、日光灯、白炽灯及其组合所组成的群组。


7.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振宇，魏丽真，林熙乾，卢宏傑，
申请(专利权)人：宸鸿光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71