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本发明实施例提出一种提升LDMOS器件的热载流子注入效应寿命的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有LDMOS器件的漏极掺杂区，所述漏极掺杂区平行于导电沟道的长度方向的至少一侧形成有浅沟槽隔离结构，所述漏极掺杂区的掺杂类型为第一导电...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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