半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底内形成第一阱区和第二阱区，第一阱区与第二阱区的导电类型相反；在基底上形成栅极结构、侧墙、源掺杂层、漏掺杂层和介质层，侧墙覆盖栅极结构侧壁，源掺杂层和漏掺杂层位于栅极结构两侧，栅极结构和侧墙位于第一阱区和第二阱区上，源掺杂层位于第一阱区内，漏掺杂层位于第二阱区内，源掺杂层和漏掺杂层与第二阱区的导电类型相反，介质层暴露出栅极结构顶部；去除部分第二阱区上的栅极结构和部分第二阱区的基底形成凹槽，凹槽暴露出第二阱区的侧墙侧壁；在凹槽内形成隔离层。所述方法减小了半导体器件的体积。

Semiconductor device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了提高器件的承压能力，现有技术提出了横向漂移金属氧化物半导体(LDMOS)，横向漂移金属氧化物半导体的结构包括：位于基底内的第一阱区和第二阱区，第一阱区和第二阱区的导电离子类型不同，位于第一阱区和第二阱区上的栅极结构；分别位于栅极结构两侧基底内的源端掺杂层和漏端掺杂层，漏端掺杂层位于第二阱区内，源端掺杂层位于第一阱区内，源端掺杂层和漏端掺杂层内具有源漏离子，源漏离子导电类型与第一阱区阱离子导电类型相同。然而，现有技术形成的半导体器件的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底内形成第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的导电类型相反；/n在所述基底上形成栅极结构、侧墙、源掺杂层、漏掺杂层和介质层，所述侧墙覆盖栅极结构侧壁，所述源掺杂层和漏掺杂层分别位于栅极结构和侧墙两侧，所述栅极结构和侧墙位于第一阱区和第二阱区上，所述源掺杂层位于第一阱区内，所述漏掺杂层位于第二阱区内，所述源掺杂层和漏掺杂层与第二阱区的导电类型相反，所述介质层覆盖侧墙侧壁、源掺杂层和漏掺杂层顶部和侧壁，暴露出栅极结构顶部表面；/n形成栅极结构和介质层后，去除部分第二阱区上的栅极结构和部分第二阱区的基底，在所述介质层内形...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底内形成第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的导电类型相反；
在所述基底上形成栅极结构、侧墙、源掺杂层、漏掺杂层和介质层，所述侧墙覆盖栅极结构侧壁，所述源掺杂层和漏掺杂层分别位于栅极结构和侧墙两侧，所述栅极结构和侧墙位于第一阱区和第二阱区上，所述源掺杂层位于第一阱区内，所述漏掺杂层位于第二阱区内，所述源掺杂层和漏掺杂层与第二阱区的导电类型相反，所述介质层覆盖侧墙侧壁、源掺杂层和漏掺杂层顶部和侧壁，暴露出栅极结构顶部表面；
形成栅极结构和介质层后，去除部分第二阱区上的栅极结构和部分第二阱区的基底，在所述介质层内形成凹槽，所述凹槽侧壁到第一阱区的最小距离大于零，所述凹槽暴露出部分侧墙；
在所述凹槽内形成隔离层。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽侧壁距离第一阱区的最小距离为20nm～1000nm。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽底部距离第二阱区底部的最小距离为20nm～1000nm。


5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，自源掺杂层到漏掺杂层的方向上，所述凹槽的宽度为15nm～200nm。


6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成方法包括：在所述凹槽内、栅极结构上和介质层上形成初始隔离层；平坦化所述初始隔离层，直至暴露出栅极结构和介质层表面，在所述凹槽内形成所述隔离层。


7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部；在所述鳍部内形成第一阱区和第二阱区；所述栅极结构横跨鳍部；所述侧墙位于鳍部上；所述源掺杂层和漏掺杂层位于所述鳍部内；所述介质层覆盖鳍部顶部和侧壁；去除部分第二阱区上的栅极结构和部分第二阱区的鳍部，在所述介质层内形成凹槽。


8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部；在所述鳍部和半导体衬底内形成第一阱区和第二阱区；去除部分第二阱区上的栅极结构、部分第二阱区的鳍部和部分第二阱区的半导体衬底，在所述介质层内形成凹槽。


9.根据权利要求1、7或8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的形成方法包括：在所述栅极结构和介质层上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分第二阱区上的栅极结构表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极结构和第二阱区的基底，在介质层内形成所述凹槽。


10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述栅极结构和第二阱区的基底的工艺包括：各向异性的干法刻蚀，所述刻蚀参数包括：采用的气体包括CF4气体、SF6气体和Cl2气体，CF4气体的流量为10sccm～500sccm，SF6气体的流量为20sccm～300sccm，Cl2的流量为6sccm～120sccm，压强为1mtorr～350mtorr，射频功率为100瓦～500瓦。


11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成栅极结构、侧墙、源掺杂层、漏掺杂层和介质层的方法包括：在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构位于第一阱区和第二阱区上；在所述栅极结构侧壁形成侧墙；在所述侧墙和栅极结构两侧的基底内形成源掺杂层和漏掺杂层；形成源掺杂层和漏掺杂层后，在所述基底上形成介质层，所述介质层覆盖侧墙侧壁、源掺杂层和漏掺杂层顶部和侧壁，暴露出栅极结构顶部表面。

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31