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一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。在半导体基板上方形成栅极堆叠。在栅极堆叠的侧壁上形成第一间隔层。在第一间隔层上方形成牺牲间隔膜。在半导体基板上形成磊晶结构。在牺牲间隔膜上执行蚀刻制程以在第一间隔层与磊晶结构之间形成间隙。牺牲间隔膜的外...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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