【技术实现步骤摘要】
晶圆的湿处理系统
本技术实施例涉及晶圆的湿处理技术，尤其涉及一种晶圆的湿处理系统。
技术介绍
现有技术中，对晶圆生产制造过程进行清洗或蚀刻时，一般采用传统硅工艺中的“水槽浸泡”法，参见图1，该方法将多个晶圆1纵向放置于晶圆篮12中，再将晶圆11和晶圆篮12同时浸入盛放有清洗液或蚀刻液14的化学槽13中，一段时间后再将晶圆11和晶圆篮12取出。使用该方法清洗和/或蚀刻晶圆的下端最先接清洗液或蚀刻液，最后脱离清洗液或蚀刻液；晶圆上端最后接触清洗液或蚀刻液，最先脱离清洗液或蚀刻液；并且清洗液或蚀刻液在晶圆取出时由上往下流，会造成在晶圆在各道清洗或蚀刻工序的时间差异，使晶圆上下位置的清洗程度或蚀刻程度不同，导致晶圆的清洗或蚀刻不均匀而导致同一参数制备的晶圆的结构和性能有所差异。在实际生产过程中，为控制成本，水槽中的清洗液或蚀刻液，通常都是固定更换周期(如24h/次)，或者在处理多批次晶圆后才更换一次。该方法还会随着清洗液持续使用，清洗液浓度发生变化，颗粒及杂质变脏，最终导致不同批次的晶圆清洗或蚀刻程度也不相同，响降低...
【技术保护点】
1.一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，其特征在于，包括：/n喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；/n真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，其特征在于，包括：
喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；
真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述晶圆的湿处理系统还包括：
至少一个液桶，用于盛放待喷洒液，所述喷淋头通过进液管与所述至少一个液桶贯通。
3.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述晶圆的湿处理系统还包括：
真空压力传感器，设置于所述真空吸盘的腔体内，用于检测所述真空吸盘的腔体的真空压力；
真空泵，通过抽气管与所述真空吸盘的腔体相连，用于对所述真空吸盘的腔体进行抽气以通过所述承载吸板的至少一个通孔吸附所述晶圆；
真空阀，设置于所述抽气管上，用于控制抽气流量。
4.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘召军，林大野，吴国才，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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