晶圆的湿处理系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种晶圆的湿处理系统，晶圆的湿处理系统包括：喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。解决了晶圆清洗和/或刻蚀不均匀的问题，达到了提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。

Wafer wet treatment system

【技术实现步骤摘要】
晶圆的湿处理系统
本技术实施例涉及晶圆的湿处理技术，尤其涉及一种晶圆的湿处理系统。
技术介绍
现有技术中，对晶圆生产制造过程进行清洗或蚀刻时，一般采用传统硅工艺中的“水槽浸泡”法，参见图1，该方法将多个晶圆1纵向放置于晶圆篮12中，再将晶圆11和晶圆篮12同时浸入盛放有清洗液或蚀刻液14的化学槽13中，一段时间后再将晶圆11和晶圆篮12取出。使用该方法清洗和/或蚀刻晶圆的下端最先接清洗液或蚀刻液，最后脱离清洗液或蚀刻液；晶圆上端最后接触清洗液或蚀刻液，最先脱离清洗液或蚀刻液；并且清洗液或蚀刻液在晶圆取出时由上往下流，会造成在晶圆在各道清洗或蚀刻工序的时间差异，使晶圆上下位置的清洗程度或蚀刻程度不同，导致晶圆的清洗或蚀刻不均匀而导致同一参数制备的晶圆的结构和性能有所差异。在实际生产过程中，为控制成本，水槽中的清洗液或蚀刻液，通常都是固定更换周期(如24h/次)，或者在处理多批次晶圆后才更换一次。该方法还会随着清洗液持续使用，清洗液浓度发生变化，颗粒及杂质变脏，最终导致不同批次的晶圆清洗或蚀刻程度也不相同，响降低晶圆的良品率、质量及可靠性。
技术实现思路
本技术提供一种晶圆的湿处理系统，以实现提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。第一方面，本技术实施例提供了一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，包括：喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：至少一个液桶，用于盛放待喷洒液，所述喷淋头通过进液管与所述至少一个液桶贯通。可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：真空压力传感器，设置于真空吸盘的腔体内，用于检测真空吸盘的腔体的真空压力；真空泵，通过抽气管与所述真空吸盘的腔体相连，用于对所述真空吸盘的腔体进行抽气以通过所述承载吸板的至少一个通孔吸附所述晶圆；真空阀，设置于所述抽气管上，用于控制抽气流量。可选的，所述承载吸板还包括：重量传感器，用于检测放置于所述承载吸板上的所述晶圆的重量。可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：喷淋开关，设置于所述进液管上，用于控制所述待喷洒液的喷洒流量。可选的，所述至少一个喷洒孔还包括：喷洒孔开关，用于控制预设分布位置和预设数量的喷洒孔的工作状态。可选的，所述待喷洒液包括清洗液、蚀刻液或DI纯水的其中一种或多种。可选的，所述承载吸板上方还设有图像采集模块，所述图像采集模块用于采集承载吸板上的图像。可选的，所述喷淋头和所述承载吸板为圆形。可选的，所述喷淋头的直径大于所述承载吸板的直径。本实施例的技术方案，通过在喷淋头的出水口下方设置真空吸盘水平吸附盛放晶圆，使晶圆表面的各个区域可以同时接触待清洗液或刻蚀液都非常均匀(相同时间、浓度和配比)，解决了晶圆清洗和/或刻蚀不均匀的问题，达到了提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。附图说明图1为现有技术“水槽浸泡”装置的示意图；图2是本技术实施例一中的晶圆的湿处理系统的示意图；图3是本技术实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；图4是本技术实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；图5是本技术实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；图6是本技术实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；图7是本技术实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；图8是本技术实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；图9是本技术实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；图10是本技术实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；图11是本技术实施例三中的晶圆的湿处理方法的流程图；图12是本技术实施例三中的晶圆的湿处理方法的流程图；图13是本技术实施例三中的晶圆的湿处理方法的流程图；图14是本技术实施例三中的晶圆的湿处理方法的流程图；具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对技术的限定。另外还需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。举例来说，在不脱离本技术的范围的情况下，可以将第一液桶为第二液桶，且类似地，可将第二液桶称为第一液桶。第一液桶和第二液桶两者都是液桶，但其不是同一液桶。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。需要说明的是，当部被称为“固定于”另一个部，它可以直接在另一个部上也可以存在居中的部。当一个部被认为是“连接”到另一个部，它可以是直接连接到另一个部或者可能同时存在居中部。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述，只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理，但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。实施例一图2为本技术实施例一提供的一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，具体包括：喷淋头22和真空吸盘24。喷淋头22，设置有至少一个喷洒孔，喷淋头22通过进液管231与至少一个液桶21相连。具体的。喷淋头22与进液管231连接，以通过进液管231供应清洗液，待喷洒液包括清洗液、蚀刻液或DI纯水的其中一种或多种；至少一个喷洒孔大量且均匀排布于喷淋头22上，可以呈圆圈状分布由内向外逐层扩大，且喷洒头为特氟龙喷淋头22。在其他实施例中，晶圆的湿处理系统还包括喷淋开关23，设置于进液管231上，用于控制待喷洒液的喷洒的流量。真空吸盘24，位于喷淋头22的下方，真空吸盘24包括有承载吸板251和壳体，壳体和承载吸板251构成或围成真空吸盘24的腔体，承载吸板251还设有至少一个贯通腔体的通孔252，承载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，其特征在于，包括：/n喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；/n真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，其特征在于，包括：
喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；
真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。


2.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述晶圆的湿处理系统还包括：
至少一个液桶，用于盛放待喷洒液，所述喷淋头通过进液管与所述至少一个液桶贯通。


3.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述晶圆的湿处理系统还包括：
真空压力传感器，设置于所述真空吸盘的腔体内，用于检测所述真空吸盘的腔体的真空压力；
真空泵，通过抽气管与所述真空吸盘的腔体相连，用于对所述真空吸盘的腔体进行抽气以通过所述承载吸板的至少一个通孔吸附所述晶圆；
真空阀，设置于所述抽气管上，用于控制抽气流量。


4.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘召军，林大野，吴国才，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44