【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年10月2日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0117696号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件,例如,涉及一种扇出型半导体封装件。
技术介绍
随着电子产品变得更小并且性能变得更高,组件之间的距离变得更近并且操作速度大大增加。结果,由于组件之间的电磁波干扰导致的装置的故障的问题已成为一个问题。因此,近来,对电磁波屏蔽技术的兴趣已经正在增长。在智能电话的情况下,电磁波屏蔽技术已仅应用于一些芯片,诸如初始通信芯片。然而,近来,电磁波屏蔽技术的应用已扩展到AP、RF芯片等。作为电磁波屏蔽技术,主要使用金属罩结构或诸如溅射的沉积方法。当使用诸如溅射的沉积方法时,通过在半导体封装件的分割之后形成EMI屏蔽层而使工艺复杂化,这可能难以确保其上存在玻璃纤维或陶瓷填料的部分上的沉积覆盖率。因此,与在封装件的上表面上的EMI屏蔽层的覆盖率相比,可能更难以确保在封装件的侧表面上的EMI屏蔽层的覆盖率。
技术实现思路
本公开的一方面将提供一种具有改善的侧面屏蔽性能的半导体封装件。根据本公开的一个方面,可提供一种其中在侧表面上形成覆盖层然后形成EMI屏蔽层的半导体封装件。根据本公开的一方面,一种半导体封装件可包括:框架,具有第一通孔;半导体芯片,设置在所述框架的所述第一通孔中,并且具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面;第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效 ...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:/n框架,具有第一通孔;/n半导体芯片,设置在所述框架的所述第一通孔中,并且具有其上设置有连接垫的有效表面和设置为与所述有效表面背对的无效表面;/n第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分;/n连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并包括接地图案层以及电连接到所述半导体芯片的所述连接垫的重新分布层;/n侧表面覆盖层,在所述框架的周围至少覆盖所述框架的外侧表面;以及/n金属层,设置在所述第一包封剂的上表面上,并且从所述第一包封剂的所述上表面沿所述侧表面覆盖层向下延伸以覆盖所述连接结构的侧表面的一部分和所述侧表面覆盖层。/n
【技术特征摘要】
20181002 KR 10-2018-01176961.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
框架,具有第一通孔;
半导体芯片,设置在所述框架的所述第一通孔中,并且具有其上设置有连接垫的有效表面和设置为与所述有效表面背对的无效表面;
第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分;
连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并包括接地图案层以及电连接到所述半导体芯片的所述连接垫的重新分布层;
侧表面覆盖层,在所述框架的周围至少覆盖所述框架的外侧表面;以及
金属层,设置在所述第一包封剂的上表面上,并且从所述第一包封剂的所述上表面沿所述侧表面覆盖层向下延伸以覆盖所述连接结构的侧表面的一部分和所述侧表面覆盖层。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述侧表面覆盖层从所述框架的所述外侧表面延伸到所述连接结构的在所述接地图案层上方的上部。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述接地图案层的外侧表面覆盖有所述金属层。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:钝化层,设置在所述连接结构上,并且
其中,所述金属层的下端位于比所述钝化层的下表面高的高度处。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述侧表面覆盖层和所述第一包封剂由不同的材料制成。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述侧表面覆盖层包括非导电粘合剂。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述侧表面覆盖层覆盖所述第一包封剂的外侧表面的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述框架还具有第二通孔,并且所述半导体封装件还包括设置在所述框架的所述第二通孔中的一个或更多个无源组件。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:第二包封剂,覆盖所述无源组件的上表面和侧表面中的每个的至少一部分,并且
其中,所述第一包封剂覆盖所述第二包封剂的至少一部分。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述侧表面覆盖层覆盖所述第二包封剂的外侧表面。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一包封剂的侧表面的至少一部分从所述侧表面覆盖层暴露。
12.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述金属层在所述金属层的设置在所述第一包封剂的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:李硕浩,姜周锡,吴东俊,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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