【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，键合封装技术得到了广泛的应用，其是利用键合技术将不同的器件堆叠键合在一起。在混合键合技术中，在形成顶层连线层之后，在介质层中形成键合垫，利用键合垫和介质层与另一器件键合在一起。而在顶层连线层为铝的应用中，在图案化铝之后进行介质材料的填充，填充过程中容易出现气泡，对后续平坦化工艺产生影响，进而影响器件性能，甚至造成键合的失效。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，避免顶层金属层间填充材料内气泡的产生，提高器件性能。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有覆盖层，所述覆盖层上形成有图案化的顶层金属层；沉积覆盖所述图案化的顶层金属层的第一介质层；进行所述第一介质层的平坦化，以去除所述图案化的顶层金属层上至少部分厚度的...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有覆盖层，所述覆盖层上形成有图案化的顶层金属层；/n沉积覆盖所述图案化的顶层金属层的第一介质层；/n进行所述第一介质层的平坦化，以去除所述图案化的顶层金属层上至少部分厚度的第一介质层；/n在所述第一介质层和所述图案化的顶层金属层上依次形成刻蚀停止层以及第二介质层。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有覆盖层，所述覆盖层上形成有图案化的顶层金属层；
沉积覆盖所述图案化的顶层金属层的第一介质层；
进行所述第一介质层的平坦化，以去除所述图案化的顶层金属层上至少部分厚度的第一介质层；
在所述第一介质层和所述图案化的顶层金属层上依次形成刻蚀停止层以及第二介质层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的顶层金属层为铝。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行所述第一介质层的平坦化，包括：
采用化学机械研磨，进行所述第一介质层的平坦化。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行所述第一介质层的平坦化，包括：
采用化学机械研磨，进行所述第一介质层的平坦化，以去除所述图案化的顶层金属层上部分厚度的第一介质层；
刻蚀去除至少部分厚度的剩余的所述第一介质层。
6.根据权利要求1所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡杏，刘天建，周玉，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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