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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成有覆盖层，覆盖层上形成有图案化的顶层金属层，沉积覆盖图案化的顶层金属层的第一介质层，而后进行第一介质层的平坦化，以去除图案化的顶层金属层上至少部分厚度的第一介质层，在第一介质层和图案化的顶层...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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