封装装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种封装装置，其将半导体芯片12接合于作为基板30或其它半导体芯片12的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置包括：平台120，载置有所述基板30；封装头124，相对于所述平台120可进行相对移动，并将所述半导体芯片12接合于所述被封装体；照射单元108，透射所述平台，并且自平台120的下侧照射对所述基板30进行加热的电磁波，所述平台120具有形成于上表面侧的第一层122，且第一层122的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。

Packaging device and manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术书公开一种将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置的封装装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在将半导体芯片接合于基板或其它半导体芯片上的情况下，通常利用已加热的封装头对半导体芯片进行加热加压。但是仅利用来自封装头的热，难以对作为接合对象的半导体芯片进行适当的加热。尤其，近年来为了实现半导体装置的更高功能化、小型化，而提出将多个半导体芯片层叠而进行封装。所述情况下，为了缩短封装处理的时间，存在一边将多个半导体芯片进行暂时压接一边进行层叠后，对所述多个半导体芯片成批地进行正式压接的情况。即，存在对多个半导体芯片以暂时压接状态进行层叠而形成暂时层叠体后，利用已加热的封装头对所述暂时层叠体的上表面进行加热加压而进行正式压接的情况。所述情况下，仅利用来自封装头的热，难以适当地加热至暂时层叠体的最下层的半导体芯片。因此，自以前开始，在对半导体装置进行接合时，对载置有基板的平台整体进行加热。由此，可自半导体芯片的上下两侧进行加热。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2010/050209号专利文献2：日本专利第3833531号公报专利文献3：日本专利第4001341号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，在对平台整体进行加热的情况下，配置于与作为接合对象(加热对象)的半导体芯片不同部位的半导体芯片也被持续加热。结果在半导体芯片中被长时间输入热。此种长期的热输入会导致半导体芯片，尤其是设置于半导体芯片的底面的非导电性膜(NonConductiveFilm)等树脂的劣化，甚至导致封装质量的下降。为了避免所述问题，也考虑在平台的多个部位预先设置脉冲式加热器(pulseheater)等局部加热用的加热器，且仅接通所需部位的加热器。但是，在将此种局部加热用的加热器埋入平台的情况下，难以维持平台的平坦度，甚至会导致封装质量的下降。另外，在专利文献1-专利文献3中，公开有一种利用自平台的背侧照射的光来对基板进行光加热的技术，但这些技术均未充分考虑对基板进行局部加热。因此，本说明书中提供一种能对作为接合对象的半导体芯片进行适当的加热，另一方面能抑制向其它半导体芯片的热输入的封装装置以及半导体装置的制造方法。解决问题的技术手段本说明书中公开的封装装置将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置的特征在于包括：平台，具有直接或经由中间构件载置所述基板的第一面、以及与所述第一面为相反侧的第二面；封装头，相对于所述平台能够进行相对移动，并将所述半导体芯片接合于所述被封装体；以及照射单元，透射所述平台，并且自所述第二面侧照射对所述基板或所述中间构件进行加热的电磁波，所述平台具有形成于所述第一面侧的第一层，且所述第一层的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。可为：所述基板热压接有多个所述半导体芯片，所述照射单元包括变更部件，所述变更部件对所述第一面的所述电磁波的照射区域、以及所述第一面的所述电磁波的照射位置的至少一者进行变更。另外，可为：所述封装头包括加热器，所述加热器对多个所述半导体芯片以暂时压接的状态经层叠而成的暂时层叠体进行加热来进行正式压接，所述照射单元与所述加热器一起对所述暂时层叠体进行加热。另外，可为：所述平台还具有比所述第一层而形成于更靠所述第二面侧的第二层，且所述第一层的面方向上的热阻力比所述第二层大。另外，可为：所述第二层的刚性比所述第一层高。另外，可为：所述第二层是包含所述电磁波能够透射的材料的实心部位，所述第一层是在上表面形成有多个槽或在层内形成有多个细孔的部位。另外，可为：所述基板为硅晶片，且被直接载置于所述平台，所述电磁波为波长1200nm以下，且所述基板利用所述电磁波被局部加热。另外，可为：所述基板经由所述中间构件被载置于所述平台，所述电磁波具有被所述中间构件吸收且不被所述基板吸收的波长，通过来自利用所述电磁波被局部加热的所述中间构件的传热，对所述基板进行局部加热。本说明书中公开的半导体装置的制造方法将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置，所述半导体装置的制造方法的特征在于包括：载置步骤，将所述基板直接或经由中间构件载置于平台的第一面；接合步骤，利用相对于所述平台能够进行相对移动的封装头，将所述半导体芯片接合于所述被封装体；基板加热步骤，与所述接合步骤的至少一部分并行地，自隔着所述平台而配置于所述封装头的相反侧的照射单元照射被所述基板或所述中间构件吸收且透射所述平台的电磁波，由此对所述基板或所述中间构件进行加热，所述平台具有形成于所述第一面侧的第一层，且所述第一层的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。所述接合步骤可包括：暂时压接步骤，利用所述封装头，在所述基板的多个部位依序形成暂时层叠体，所述暂时层叠体是一边将一个以上的所述半导体芯片暂时压接于所述基板上一边进行层叠而成；正式压接步骤，在所述暂时压接步骤后，在所述基板的多个部位依序进行如下处理：所述处理是对一个暂时层叠体自其上表面进行加热加压，由此对构成所述暂时层叠体的一个以上的所述半导体芯片成批地进行正式压接，所述基板加热步骤可与对所述半导体芯片成批地进行正式压接的处理并行地，对所述基板或所述中间构件中的与所述正式压接执行部位对应的部位照射所述电磁波。专利技术的效果根据本说明书中公开的装置以及方法，因利用电磁波对基板进行局部加热，因此能对作为接合对象的半导体芯片进行适当的加热。另外，因平台第一层的面方向上的热阻力比厚度方向上的热阻力高，因此朝向在面方向上相离而配置的其它半导体芯片的传热得到抑制，进而向其它半导体芯片的热输入得到抑制。附图说明图1是表示封装装置的构成的图。图2是表示半导体装置的一例的图。图3是表示基板的一例的图。图4是表示半导体芯片的一例的图。图5是表示对基板进行局部加热时的情形的图。图6是图5的X部放大图。图7是表示平台的另一例的图。图8是表示平台的另一例的图。图9是表示平台的另一例的图。图10是表示平台的另一例的图。具体实施方式以下，参照附图对半导体装置的制造方法以及封装装置100进行说明。图1是表示封装装置100的构成的图。所述封装装置100是将半导体芯片12封装于基板30上的装置。所述封装装置100是在将多个半导体芯片12层叠来进行封装的情况下尤其优选的构成。再者，在以下的说明中，在多个半导体芯片12层叠而成的层叠体中，将构成层叠体的多个半导体芯片12处于暂时压接状态的层叠体称为“暂时层叠体STt”、将多个半导体芯片12处于正式压接状态的层叠体称为“芯片层叠体STc”来进行区分。封装装置100包括：芯片供给单元102、芯片搬送单元104、接合单元106、照射单元108、以及对这些单元的驱动进行控制的控制部130本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装装置，将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置的特征在于包括：/n平台，具有直接或经由中间构件载置所述基板的第一面、以及与所述第一面为相反侧的第二面；/n封装头，相对于所述平台能够进行相对移动，并将所述半导体芯片接合于所述被封装体；以及/n照射单元，透射所述平台，并且自所述第二面侧照射对所述基板或所述中间构件进行加热的电磁波，/n所述平台具有形成于所述第一面侧的第一层，/n所述第一层的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170529 JP 2017-1056141.一种封装装置，将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置的特征在于包括：
平台，具有直接或经由中间构件载置所述基板的第一面、以及与所述第一面为相反侧的第二面；
封装头，相对于所述平台能够进行相对移动，并将所述半导体芯片接合于所述被封装体；以及
照射单元，透射所述平台，并且自所述第二面侧照射对所述基板或所述中间构件进行加热的电磁波，
所述平台具有形成于所述第一面侧的第一层，
所述第一层的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。


2.根据权利要求1所述的封装装置，其中
所述基板热压接有多个所述半导体芯片，
所述照射单元包括变更部件，所述变更部件对所述第一面的所述电磁波的照射区域、以及所述第一面的所述电磁波的照射位置的至少一者进行变更。


3.根据权利要求1所述的封装装置，其中
所述封装头包括加热器，所述加热器对多个所述半导体芯片以暂时压接的状态经层叠而成的暂时层叠体进行加热来进行正式压接，
所述照射单元与所述加热器一起对所述暂时层叠体进行加热。


4.根据权利要求1所述的封装装置，其中
所述平台还具有比所述第一层而形成于更靠所述第二面侧的第二层，
所述第一层的面方向上的热阻力比所述第二层大。


5.根据权利要求4所述的封装装置，其中
所述第二层的刚性比所述第一层高。


6.根据权利要求4或5所述的封装装置，其中
所述第二层是包含所述电磁波能够透射的材料的实心部位，
所述第一层是在上表面形成有多个槽或在层内形成有多个细孔的部位。


7.根据权利要求1至5中任一项所述的封装装置，其中
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村智宣，前田彻，高野彻朗，
申请(专利权)人：株式会社新川，
类型：发明
国别省市：日本;JP