【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术书公开一种将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置的封装装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在将半导体芯片接合于基板或其它半导体芯片上的情况下，通常利用已加热的封装头对半导体芯片进行加热加压。但是仅利用来自封装头的热，难以对作为接合对象的半导体芯片进行适当的加热。尤其，近年来为了实现半导体装置的更高功能化、小型化，而提出将多个半导体芯片层叠而进行封装。所述情况下，为了缩短封装处理的时间，存在一边将多个半导体芯片进行暂时压接一边进行层叠后，对所述多个半导体芯片成批地进行正式压接的情况。即，存在对多个半导体芯片以暂时压接状态进行层叠而形成暂时层叠体后，利用已加热的封装头对所述暂时层叠体的上表面进行加热加压而进行正式压接的情况。所述情况下，仅利用来自封装头的热，难以适当地加热至暂时层叠体的最下层的半导体芯片。因此，自以前开始，在对半导体装置进行接合时，对载置有基板的平台整体进行加热。由此，可自半导体芯片的上下两侧进行加热。现有技术文献
【技术保护点】
1.一种封装装置，将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置的特征在于包括：/n平台，具有直接或经由中间构件载置所述基板的第一面、以及与所述第一面为相反侧的第二面；/n封装头，相对于所述平台能够进行相对移动，并将所述半导体芯片接合于所述被封装体；以及/n照射单元，透射所述平台，并且自所述第二面侧照射对所述基板或所述中间构件进行加热的电磁波，/n所述平台具有形成于所述第一面侧的第一层，/n所述第一层的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170529 JP 2017-1056141.一种封装装置，将半导体芯片接合于作为基板或其它半导体芯片的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置的特征在于包括：
平台，具有直接或经由中间构件载置所述基板的第一面、以及与所述第一面为相反侧的第二面；
封装头，相对于所述平台能够进行相对移动，并将所述半导体芯片接合于所述被封装体；以及
照射单元，透射所述平台，并且自所述第二面侧照射对所述基板或所述中间构件进行加热的电磁波，
所述平台具有形成于所述第一面侧的第一层，
所述第一层的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。
2.根据权利要求1所述的封装装置，其中
所述基板热压接有多个所述半导体芯片，
所述照射单元包括变更部件，所述变更部件对所述第一面的所述电磁波的照射区域、以及所述第一面的所述电磁波的照射位置的至少一者进行变更。
3.根据权利要求1所述的封装装置，其中
所述封装头包括加热器，所述加热器对多个所述半导体芯片以暂时压接的状态经层叠而成的暂时层叠体进行加热来进行正式压接，
所述照射单元与所述加热器一起对所述暂时层叠体进行加热。
4.根据权利要求1所述的封装装置，其中
所述平台还具有比所述第一层而形成于更靠所述第二面侧的第二层，
所述第一层的面方向上的热阻力比所述第二层大。
5.根据权利要求4所述的封装装置，其中
所述第二层的刚性比所述第一层高。
6.根据权利要求4或5所述的封装装置，其中
所述第二层是包含所述电磁波能够透射的材料的实心部位，
所述第一层是在上表面形成有多个槽或在层内形成有多个细孔的部位。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的封装装置，其中
所...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村智宣，前田彻，高野彻朗，
申请(专利权)人：株式会社新川，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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