半导体封装件及其形成方法技术

一种方法包括在载体上方形成复合材料层，该复合材料层包括结合到基底材料中的填充材料的颗粒，在复合材料层的第一侧上方形成一组通孔，将管芯附接在复合材料层的第一侧上方，管芯与该组通孔间隔开，在复合材料层的第一侧上方形成模制材料，模制材料最少横向密封管芯和该组通孔的通孔，在管芯和模制材料上方形成再分布结构，再分布结构电连接到通孔，在与第一侧相对的复合材料层的第二侧中形成开口，以及在开口中形成导电连接件，导电连接件电连接到通孔。本发明专利技术的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。

Semiconductor package and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。
技术介绍
由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着最近对更小电子器件的需求增长，对半导体管芯的更小和更有创意的封装技术的需求不断增长。这些封装技术的示例是封装叠层(POP)技术。在PoP封装件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上，以实现高水平的集成和组件密度。另一个示例是多芯片模块(MCM)技术，其中多个半导体管芯封装在一个半导体封装件中以提供具有集成功能的半导体器件。先进封装技术的高度集成使得能够生产具有增强功能和小占用面积的半导体器件，这对于诸如移动电话、平板电脑和数字音乐播放器的小型设备是有利的。另一个优点是连接半导体封装件内的互操作部分的导电路径的长度缩短。这改善了半导体器件的电性能，因为电路之间的互连的较短路由产生了更快的信号传播并降低了噪声和串扰。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体封装件的方法，包括：/n在载体上方形成复合材料层，所述复合材料层包括结合到基底材料中的填充材料的颗粒；/n在所述复合材料层的第一侧上方形成一组通孔；/n将管芯附接在所述复合材料层的所述第一侧上方，所述管芯与所述一组通孔间隔开；/n在所述复合材料层的所述第一侧上方形成模制材料，所述模制材料最少横向密封所述管芯和所述一组通孔的通孔；/n在所述管芯和所述模制材料上方形成再分布结构，所述再分布结构电连接到所述通孔；/n在与所述第一侧相对的所述复合材料层的第二侧中形成开口；以及/n在所述开口中形成导电连接件，所述导电连接件电连接到所述通孔。/n

【技术特征摘要】
20180905 US 62/727,311;20190802 US 16/529,9891.一种形成半导体封装件的方法，包括：
在载体上方形成复合材料层，所述复合材料层包括结合到基底材料中的填充材料的颗粒；
在所述复合材料层的第一侧上方形成一组通孔；
将管芯附接在所述复合材料层的所述第一侧上方，所述管芯与所述一组通孔间隔开；
在所述复合材料层的所述第一侧上方形成模制材料，所述模制材料最少横向密封所述管芯和所述一组通孔的通孔；
在所述管芯和所述模制材料上方形成再分布结构，所述再分布结构电连接到所述通孔；
在与所述第一侧相对的所述复合材料层的第二侧中形成开口；以及
在所述开口中形成导电连接件，所述导电连接件电连接到所述通孔。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述填充材料的颗粒具有在0.5μm和30μm之间的平均直径。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基底材料包括聚合物。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述填充材料包括氧化物。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述复合材料层上方形成介电层，其中，所述介电层的材料不同于所述复合材料层的材料，并且其中，所述一组通孔形成在所述介电层上。


6.根据权利要求5所述的方法，还包括：在所述复合材料层上形成所述介电层之前，在所述复合材料层上形成金属化图案。


7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，潘国龙，郭庭豪，蔡豪益，林修任，裴浩然，谢静华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71