MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆技术

本申请涉及一种MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆；所述MEMS麦克风翘曲补偿方法包括：提供基体，基体的正面形成有正面膜层；对基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目‑3000目；对基体背面进行刻蚀以形成背腔，实现通过在基体的背面形成损伤层，通过损伤层向基体的背面施加反向表面应力，以抵消基体翘曲的翘曲应力，从而降低基体的翘曲度，有利于MEMS麦克风晶圆的后续工艺的实施。

Compensation method of MEMS microphone warpage and MEMS microphone wafer

【技术实现步骤摘要】
MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆
本申请涉及晶圆制造
，特别是涉及一种MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆。
技术介绍
常规MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)麦克风制作过程中会经过背面减薄工艺，将一定厚度(例如725微米)的晶圆进行减薄，然后再进行晶圆背腔的刻蚀。现有工艺条件下，常规MEMS麦克风晶圆研磨后的翘曲度在200-300微米，背腔刻蚀后的翘曲度在500-600微米，晶圆在500-600微米的翘曲度下，可以对MEMS麦克风进行后续工艺制程，但是对于特殊结构的MEMS麦克风，其正面膜层的压应力远远大于常规MEMS麦克风，其经过减薄工艺后，晶圆的翘曲度可达到600-700微米，背腔刻蚀后的翘曲度则会大于1200微米，在这么大的翘曲度下难于对特殊的MEMS麦克风进行后续工艺制成，因此，在实现过程中，专利技术人发现传统技术中至少存在如下问题：传统特殊结构的MEMS麦克风制造过程中造成的翘曲度过大，增加了特殊结构的MEMS麦克风的制造难度。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供基体，所述基体的正面形成有正面膜层；/n对所述基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目-3000目；/n对所述基体背面进行刻蚀以形成背腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基体，所述基体的正面形成有正面膜层；
对所述基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目-3000目；
对所述基体背面进行刻蚀以形成背腔。


2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，所述研磨目数范围为1000目-3000目。


3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，所述损伤层的粗糙度小于60纳米。


4.根据权利要求1至3中任意一项所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，对所述基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层的步骤之后，还包括步骤：
在所述损伤层上，形成翘曲补偿膜层。


5.根据权利要求4所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，所述翘曲补偿膜层为二氧化硅或TiW合金。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李绪民，魏丹珠，单伟中，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33