本实用新型提供一种屏蔽栅功率器件的版图结构，包括元胞区，所述元胞区包括交错设置的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽从横向和纵向两个方向起到屏蔽作用，使导通电阻下降，增强了屏蔽效果，提高了器件的高压耐压能力。进一步的，本实用新型采...

本发明提供了一种麦克风及其制造方法，通过衬底正面上的凹槽的增设，能够相对增加用于制作背腔的膜层材料的厚度，给予背腔刻蚀更大的调试空间，有利于从调整工艺配方的方向增加刻蚀时间，进而改善或者消除背腔刻蚀后在衬底正面上形成的尖角，且当背腔刻蚀...

本发明提供了一种套刻精度的检测方法及其检测结构。在其检测方法中，通过测量第二膜层的厚度及其倾斜侧壁的倾斜角度，以获得第二膜层的层内偏移量，从而在得到相对的两组测试组的初始间距的基础上即可屏除由所述第二膜层的层内偏移所带来的误差，进而可得...

本发明提供了一种MEMS驱动器件及其形成方法。通过在第一衬底或第二衬底上设置固定件，以用于在刻蚀形成可动梳齿结构的过程中，固定微机械结构进而限制可动梳齿结构中的各个梳齿发生扭转，改善梳齿侧壁受到刻蚀损伤的问题。并且，在第一衬底上对应于微...

本发明提供了一种沟槽型场效应晶体管及其形成方法。通过对第一接触孔进行扩大，从而可制备出尺寸较大的接触插塞，以提升器件的EAS性能。并且，本发明是在扩大第一接触孔之前执行离子注入工艺而形成离子注入区，使得所形成的离子注入区的面积能够被控制...

本发明提供了一种氮化镓基器件及其制造方法，能通过掺杂离子破坏缓冲层的晶格，以有效提高缓冲层的电阻率，进而有利于减小关态漏电，提高缓冲层耐压。同时，由于高阻缓冲层的表层（即表面薄层）晶格损伤被修复而形成晶格损伤修复层，因此在高阻缓冲层上方...

本发明提供了一种SiC基欧姆接触结构及其制造方法，在对所述SiC基材区进行离子掺杂以形成离子掺杂区之后且在进行退火处理以激活所述离子掺杂区中的掺杂离子之前，先在所述衬底上形成具有第一开口的保护层，所述第一开口暴露出所述离子掺杂区的至少部...

本实用新型提供了一种半导体功率模块的外壳及半导体功率模块，包括点胶槽，外壳还包括侧壁及由侧壁围合形成的容置腔，侧壁远离容置腔底部的端面向内凹陷形成点胶槽，点胶槽的第一侧墙的高度大于第二侧墙的高度，点胶槽的第一侧墙为点胶槽远离容置腔的侧壁...

本实用新型提供了一种晶圆清洗刷和晶圆清洗装置，所述晶圆清洗刷包括刷轴和设置于所述刷轴的外侧面上的至少两圈刷毛，所述至少两圈刷毛包括至少一圈第一刷毛和至少一圈第二刷毛，每圈的所述第二刷毛的数量为多个，所述第二刷毛的硬度大于所述第一刷毛的硬...

本实用新型涉及一种可动态调整刻蚀均匀性的等离子反应器，包括等离子反应腔以及控制系统PC，等离子反应腔内的晶圆上部设有多个上下层叠的遮挡环，每个遮挡环的中部开口，自上而下遮挡环的开口直径逐渐增大，每个遮挡环由各自独立的驱动机构带动其水平方...

本实用新型涉及一种管道修复装置和管道封堵装置，所述管道修复装置包括胶带、保护膜、撕膜部件、中心杆、滑动部件、支撑架和锁紧部件；所述管道封堵装置包括胶带、锁紧部件和中心杆；胶带用于设置在管道内并与管道的内壁粘接，以封堵管道上的泄漏位置；锁...

本发明提供了一种芯片间的导电桥及其制造方法、芯片测试方法，可以在桥接区域中的待刻蚀层和桥面结构中的至少一层中刻蚀形成开口，在光刻胶涂覆和显影时，该开口可以确保桥面结构顶面上的光刻胶以合适的厚度、宽度以及较佳的形貌被有效保留下来（因为开口...

本发明提供了一种体声波滤波器及其形成方法。通过形成支撑结构，以界定出空腔在衬底的上方，并用于对下电极及其上方的膜层进行支撑，提高下电极及其上方的膜层在空腔上方的机械强度，有利于增大释放孔的尺寸以加快空腔空间的释放速度。并且，针对衬底上方...

本实用新型提供了一种晶圆清洗刷和晶圆清洗装置，所述晶圆清洗刷包括刷轴和设置于所述刷轴的外侧面上的至少一圈刷毛，每圈的所述刷毛包括多个第一刷毛和多个第二刷毛，所述第二刷毛的硬度大于所述第一刷毛的硬度。本实用新型的技术方案能够提高待清洗晶圆...

本发明提供了一种器件及其封装方法。该器件中的第一密封环具有氮化铝种子层，通过使第二密封环至少覆盖第一密封环中的氮化铝种子层的外侧壁和/或利用第一密封环中的下电极材料层覆盖氮化铝种子层的外侧壁，以避免第一密封环中的氮化铝种子层暴露于密封腔...

本发明提供了一种器件加工方法、MEMS器件及其加工方法以及MEMS麦克风。通过在衬底中形成电势低于导电膜层的低电势区，并使导电膜层电性连接至该低电势区，从而在执行湿法刻蚀工艺时，由于该低电势区的电势最低从而可取代非目标刻蚀层的导电膜层而...

本发明涉及一种揭膜方法，包括：提供贴附了保护胶带的基底，基底的边缘形成有缺口，保护胶带与缺口完全重合；将揭膜胶带以非热压合的方式压合在保护胶带上；利用剥膜机构从缺口位置开始起撕揭膜胶带，将保护胶带从基底上移除。本发明在不加热和无辅助装置...

本发明提供了一种麦克风及其制造方法，由于先基于第一牺牲层的第一开口使得第二牺牲层随形形成凹槽，再在凹槽中形成第二开口，之后可以在第二开口中填充刻蚀停止层，以形成侧向停止结构，由此在通过释放孔对第一牺牲层和第二牺牲层进行各向同性刻蚀牺牲层...

本发明提供了一种双工器及其形成方法。通过在第一衬底的两侧分别集成设置第一滤波器和第二滤波器，以减少双工器中所采用的衬底数量，有效缩减了器件的制备成本，并且还有利于将不同频率的发射端滤波器和接收端滤波器集成设置在同一半导体芯片中，大大提高...

本发明提供了一种焊盘上化学镀方法、半导体器件及其制造方法，其将焊盘的面积较大且周长面积比小于2/毫米的暴露顶面，通过钝化层的覆盖和接触孔开孔，划分成多个面积较小的焊垫,所有焊垫的顶面的周长总和与面积总和之比大于2/毫米，由此，在化学镀金...