半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括第一区域及第二区域；在基底表面形成介质层，第一区域介质层内具有第一通孔，第二区域介质层内具有第二通孔，第一通孔开口大于第二通孔开口；在第一通孔内形成第一氧化层，在第二通孔内形成第二氧化层；刻蚀去除位于第一通孔底部的第一氧化层及第二通孔底部的部分厚度第二氧化层，在第一通孔下方的基底内形成凹槽；在第一通孔及凹槽侧壁上形成第一侧墙，在第二通孔侧壁上形成第二侧墙；在第一通孔及凹槽内形成第一字线层；在第二通孔内形成第二字线层；去除第二区域介质层、第二氧化层、第二侧墙及第二字线层；去除第二区域的部分厚度基底。本发明专利技术有助于将第二侧墙刻蚀去除干净，改善产品良率。

The formation of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
硅单晶(siliconchip)由许多结构紧凑、六角形的单元(cell)组成。单元的数目的多少与硅单晶的尺寸有关。例如：120千分之一英寸平方(milsqt)的硅单晶包含大约5000个单元，240千分之一英寸平方的硅单晶包含大约25000个单元。相邻单元间通过周边区域(periphery)相分隔，在单元与周边区域之间具有单元过渡区(cellring)。单元过渡区环绕单元，能够起到保护单元的作用。现有半导体结构的形成方法仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，有助于将第二侧墙刻蚀去除干净，减少所述第二侧墙材料残余，改善产品良率。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域及第二区域；在所述基底表面形成介质层，所述第一区域的所述介质层内具有第一通孔，所述第二区域的所述介质层内具有第二通孔，所述第一通孔的开口大于所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括第一区域及第二区域；/n在所述基底表面形成介质层，所述第一区域的所述介质层内具有第一通孔，所述第二区域的所述介质层内具有第二通孔，所述第一通孔的开口大于所述第二通孔的开口；/n在同一工艺步骤中，在所述第一通孔侧壁及底部上形成第一氧化层，并在所述第二通孔侧壁及底部上形成第二氧化层；/n在同一工艺步骤中，刻蚀去除位于所述第一通孔底部的第一氧化层及位于所述第二通孔底部的部分厚度第二氧化层，并刻蚀去除位于所述第一通孔下方的部分厚度所述基底，在所述基底内形成凹槽；/n在相同工艺步骤中，在所述第一通孔侧壁及所述凹槽侧壁上形成第一侧墙...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一区域及第二区域；
在所述基底表面形成介质层，所述第一区域的所述介质层内具有第一通孔，所述第二区域的所述介质层内具有第二通孔，所述第一通孔的开口大于所述第二通孔的开口；
在同一工艺步骤中，在所述第一通孔侧壁及底部上形成第一氧化层，并在所述第二通孔侧壁及底部上形成第二氧化层；
在同一工艺步骤中，刻蚀去除位于所述第一通孔底部的第一氧化层及位于所述第二通孔底部的部分厚度第二氧化层，并刻蚀去除位于所述第一通孔下方的部分厚度所述基底，在所述基底内形成凹槽；
在相同工艺步骤中，在所述第一通孔侧壁及所述凹槽侧壁上形成第一侧墙，并在所述第二通孔侧壁上形成第二侧墙；
在所述第一通孔及所述凹槽内形成第一字线层；
在所述第二通孔内形成第二字线层；
去除所述第二区域的所述介质层、所述第二氧化层、所述第二侧墙及所述第二字线层；
去除所述第二区域的部分厚度所述基底。


2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一通孔的开口宽度与所述第二通孔的开口宽度的比值为1.5～2。


3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一通孔开口的宽度为0.32μm，所述第二通孔的开口宽度为0.16μm～0.19μm。


4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化层及所述第二氧化层的步骤中，覆盖所述第一通孔底部的第一氧化层厚度与覆盖所述第二通孔底部的第二氧化层厚度的比值为0.4～0.6。


5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用各向异性干法刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：付博，曹启鹏，王卉，陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31