一种键合孔的形成方法技术

本发明专利技术提供一种键合孔的形成方法，在衬底上依次形成有介质材料的覆盖层以及粘合层，并在覆盖层中形成有连线层，粘合层中形成有贯穿至连线层上的键合孔，采用真空溅射镀膜在键合孔内壁上进行第一铜种子沉积和第二铜种子沉积，进行第二铜种子沉积时较第一铜种子沉积具有更大的偏置电压，然后在键合孔中填充铜，以形成键合垫，这样，改善了键合孔内部的形貌，有利于实现键合孔中材料的充分填充，提高键合垫与连线层的电连接特性，进而提高器件的性能。

A method of forming bonding hole

【技术实现步骤摘要】
一种键合孔的形成方法
本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种键合孔的形成方法。
技术介绍
目前，主要采用大马士革工艺形成衬垫，其是在形成键合孔之后，通过填充金属材料，来形成衬垫。键合孔与连线层连接，键合孔的形成工艺会影响到与连线层的电连接特性，进而对器件性能造成影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种键合孔的形成方法，改善连线层中键合孔的形貌，提高器件性能。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种键合孔的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有介质材料的覆盖层以及粘合层，所述覆盖层中形成有连线层，所述粘合层中形成有贯穿至所述连线层上的键合孔；采用真空溅射镀膜分别进行第一铜种子沉积和第二铜种子沉积，以在键合孔内壁形成铜种子层，其中，第二铜种子沉积时较第一铜种子沉积时具有更大的偏置电压；在所述键合孔中填充铜，以形成键合垫。可选地，所述连线层为铝，所述键合孔的底部具有横向延伸部。可选地，在形成铜种子层之前，还包括：在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种键合孔的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上依次形成有介质材料的覆盖层以及粘合层，所述覆盖层中形成有连线层，所述粘合层中形成有贯穿至所述连线层上的键合孔；/n采用真空溅射镀膜分别进行第一铜种子沉积和第二铜种子沉积，以在键合孔内壁形成铜种子层，其中，第二铜种子沉积时较第一铜种子沉积时具有更大的偏置电压；/n在所述键合孔中填充铜，以形成键合垫。/n

【技术特征摘要】
1.一种键合孔的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有介质材料的覆盖层以及粘合层，所述覆盖层中形成有连线层，所述粘合层中形成有贯穿至所述连线层上的键合孔；
采用真空溅射镀膜分别进行第一铜种子沉积和第二铜种子沉积，以在键合孔内壁形成铜种子层，其中，第二铜种子沉积时较第一铜种子沉积时具有更大的偏置电压；
在所述键合孔中填充铜，以形成键合垫。


2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述连线层为铝，所述键合孔的底部具有横向延伸部。


3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成铜种子层之前，还包括：
在所述键合孔的内壁上形成阻挡层。


4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，在所述键合孔的内壁上形成阻挡层，包括：
依次进行第一阻挡层和第二阻挡层的沉积；
利用原子轰击，使得所述键合孔底部的第一阻挡层和第二阻挡层溅射而被去除；
进行第二阻挡层的再次沉积。


5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈红闯，王鹏，龙俊舟，叶国梁，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42