一种通孔结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种通孔结构及其制作方法，本方案采用正面孔洞和背面孔洞相结合的方式制程通孔。通过第一氮化层的沉积，实现背面蚀刻的孔洞与正面蚀刻的孔洞的对接，同时也保证了整体侧壁的垂直度。在进行电镀金属时沉积金属层的厚度与电镀的时间和电流密度成正比，形成更厚的沉积层封合正面孔洞。避免蜡流进深孔，避免后续工艺去蜡和蓝宝石。通过正面孔洞和背面孔洞相结合的方式保证了所涂布光阻的厚度，从而避免显影轮廓及晶圆表面异常等问题的发生，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。提升制程效率，减少光阻用量，避免显影时发生轮廓及晶圆表面异常，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。

A through hole structure and its making method

【技术实现步骤摘要】
一种通孔结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种通孔结构及其制作方法。
技术介绍
在半导体制作领域中，人们一直采用金属和光阻或单用光阻的方式来制程通孔。在单用光阻中相同时间可以获得更深的蚀刻深度。但如果要获得超过150μm的通孔则需要增加光阻厚度，然而涂布光阻过厚则会出现显影轮廓及晶圆表面异常等问题，从而进一步影响通孔的形貌。同时在制作超过150μm的深孔是，通过增加光阻厚度的方式则会提高黄光制程困难，且良率较低。在现有CVD(化学气相沉积)机台无法实现背面的氮化硅沉积，故无法使用氮化硅和光阻来充当掩膜。所以业界都在探寻一种通孔结构及其制作方法。
技术实现思路
为此，需要提供一种通孔结构及其制作方法，以解决晶圆表面异常且通孔良率低等问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种通孔的制作方法，包括如下步骤：在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待通孔处显影；以第一光阻层为掩膜，蚀刻半导体衬底制得正面孔洞；去除第一光阻层，并沉积第一氮化层；溅镀籽晶层，并沉积金属到正面孔洞处；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待通孔处显影；/n以第一光阻层为掩膜，蚀刻半导体衬底制得正面孔洞；/n去除第一光阻层，并沉积第一氮化层；/n溅镀籽晶层，并沉积金属到正面孔洞处；/n半导体衬底正面覆盖蜡和蓝宝石后进行背面工艺；/n在半导体衬底背面涂布第二光阻层，在待通孔处显影，以第二光阻层为掩膜蚀刻半导体衬底以及第一氮化层，制得与正面孔洞互通的背面孔洞，形成通孔结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待通孔处显影；
以第一光阻层为掩膜，蚀刻半导体衬底制得正面孔洞；
去除第一光阻层，并沉积第一氮化层；
溅镀籽晶层，并沉积金属到正面孔洞处；
半导体衬底正面覆盖蜡和蓝宝石后进行背面工艺；
在半导体衬底背面涂布第二光阻层，在待通孔处显影，以第二光阻层为掩膜蚀刻半导体衬底以及第一氮化层，制得与正面孔洞互通的背面孔洞，形成通孔结构。


2.根据权利要求1所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，所述正面孔洞直径大于所述背面孔洞直径。


3.根据权利要求1所述的一种通孔的制作方法，其特征在于，沉积金属到正面孔洞处包括步骤：
覆盖第三光阻层，并在正面孔洞处显影；
沉积金属后，去除第三光阻层。


4....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄光伟，李立中，林伟铭，吴淑芳，陈智广，马跃辉，吴靖，庄永淳，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35