电子装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子装置及其制备方法，其中，电子装置的制备方法包括下列步骤：提供基板；形成金属层于基板上，金属层具有第一表面；形成第一绝缘层于金属层上；形成第二绝缘层于第一绝缘层上；刻蚀第一绝缘层与第二绝缘层以形成接触孔，且接触孔暴露部分的第一表面；用溶液清洗接触孔所暴露的部分的第一表面；以及形成透明导电层于第二绝缘层上，且透明导电层与金属层电性连接。

Electronic device and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制备方法
本专利技术涉及一种电子装置及其制备方法，尤其涉及一种通过刻蚀法所形成的电子装置及其制备方法。
技术介绍
随着显示设备技术不断进步，显示面板均朝向体积小、厚度薄、或重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示设备已朝向轻薄类型显示设备发展。其中，轻薄类型显示器可应用的领域相当多，举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等都有使用。在显示设备中，常需要图案化绝缘材料层以形成接触孔，以将绝缘材料层上的透明导电层与有机材料层下的金属层透过接触孔而电性连接。然而，对绝缘材料层进行图案化时，容易使污染物沾附在金属层表面、或使接触孔所暴露的金属层氧化，此时，会造成透明导电层与金属层的阻抗上升，甚至产生透明导电层剥离的情形。有鉴于此，目前亟需改善图案化绝缘材料层的工艺，以避免前述的问题产生。
技术实现思路
本专利技术提供一种电子装置的制备方法，包括下列步骤：提供基板；形成金属层于基板上，其中金属层具有第一表面；形成第一绝缘层于金属层的第一表面上；形成第二绝缘层于第一绝缘层上；刻蚀第一绝缘层与第二绝缘层以形成接触孔，且接触孔暴露部分的第一表面；以溶液清洗接触孔所暴露的部分的第一表面；以及形成透明导电层于第二绝缘层上，且透明导电层与金属层电性连接。本专利技术提供一种电子装置，包括：基板、金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、接触孔、透明导电层、及凹口。金属层设于基板上，金属层具有第一表面；第一绝缘层设于金属层的第一表面上；第二绝缘层设于第一绝缘层上；接触孔穿过第一绝缘层及第二绝缘层且暴露金属层的部分第一表面；凹口邻近金属层与第一绝缘层的交界处；以及透明导电层设于第二绝缘层上且与金属层电性连接；凹口的长度与透明导电层的厚度的比例介于0.01至0.2之间。附图说明图1A至图1D为本专利技术一实施例的电子装置的制备流程的剖面示意图；图2为图1D的虚线圆区域的部分放大图。图中：基板11金属层12第一表面121氧化物层122表面1212侧壁1211第一绝缘层13第二表面131侧面132第二绝缘层14残留物层141接触孔15透明导电层16凹口A底切结构A1深度D长度L第一交点P1第二交点P2厚度T具体实施方式以下是通过具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟习此技艺的人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可针对不同观点与应用，在不脱离本创作的精神下进行各种修饰与变更。其次，本专利技术中所使用的序数例如“第一”、“第二”等用词，以修饰本申请所涉及的组件，其本身并不意味及代表该请求组件有任何之前的序数，也不代表某一请求组件与另一请求组件的顺序、或是制造方法上的顺序，这些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求组件得以和另一具有相同命名的请求组件能作出清楚区分。此外，本专利技术所提及的位置，例如“之上”、“上”、“上方”、“之下”、“下”或“下方”，可指所述两组件直接接触，或可指所述两组件非直接接触。本专利技术所提及的“连接”，可指两组件直接连接，也可指两组件非直接连接但彼此电性连接。当本专利技术界定一数值介于一第一数值至一第二数值的范围时，该数值包括该第一数值、该第二数值、或该第一数值及该第二数值间的任一数值。其次，本专利技术不同实施例的特征可相互组合而形成另一实施例。图1A至图1D为本专利技术一实施例的电子装置的制备流程的剖面示意图。如图1A所示，在本实施例的电子装置的制备方法中，首先，提供基板11。基板11可例如为石英基板、玻璃基板、硅晶圆基板、或蓝宝石基板等。或者，基板11可例如为可挠性基板或薄膜，其材料可包括，例如，聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、或其他塑料或高分子材料，但本专利技术并不仅限于此。接着，形成金属层12于基板11上，其中金属层12具有第一表面121。金属层12的材料可包括铜、银、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、钛合金或其他合适的金属。在某些实施例中，金属层可为多层结构，例如钼/铝/钼的叠层结构、钛/铝的叠层结构、或其他适当的多层结构。在本专利技术的一实施方案中，金属层12的材料包括铜或其合金。在本专利技术的另一实施方案中，金属层12的材料包括铜。然而，本专利技术并不仅限于此。而后，形成第一绝缘层13在金属层12的第一表面121上，再形成第二绝缘层14在第一绝缘层13上。第一绝缘层13的材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、适当的绝缘材料、或其组合。在本专利技术的一实施方案中，第一绝缘层13的材料包括氮化硅。第二绝缘层14可为有机层，其包括有机材料，如树脂、聚合物、光阻或其组合，其材料可为聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、或其他。在本专利技术的另一实施方案中，第二绝缘层14的折射率与第一绝缘层13的折射率实质上相同，例如两者的折射率可都为1.4。在一实施例中，第二绝缘层14的折射率与第一绝缘层13的折射率的差异小于0.5。当第一绝缘层13与第二绝缘层14的折射率接近时，可增加电子装置的画面亮度。然而，本专利技术并不仅限于此。如图1B所示，刻蚀第一绝缘层13与第二绝缘层14以形成接触孔15，且接触孔15暴露部分的第一表面121。可使用干刻蚀工艺、湿刻蚀工艺、或其组合形成接触孔15。在本专利技术的一实施方案中，可使用干刻蚀工艺形成接触孔15。在某些实施例中，干刻蚀工艺包括含氧电浆。在干刻蚀工艺后，在金属层12上会形成氧化物层122及残留物层141。其中，氧化物层122可包括氧化物，例如金属氧化物，其为金属层12被含氧电浆氧化后所生成的产物。在本专利技术的一实施方案中，金属氧化物为氧化铜。此外，残留物层141则可包括有机材料，其为第一绝缘层13及/或第二绝缘层14与含氧电浆反应后，分解而所形成的有机物。残留物层141也可包含刻蚀过程中第一绝缘层13及/或第二绝缘层14掉落的残留物。在一实施例中，残留物层141所包含的有机材料的分子量会等于或小于第二绝缘层14所包含的有机材料的分子量。接着，以一溶液清洗接触孔15所暴露的部分的第一表面121，借此，以移除接触孔15所暴露的第一表面121上的残留物层141或氧化物层122，如图1C所示。通过移除接触孔15中的残留物层141或氧化物层122，而减少金属层12与后续形成的透明导电层间的阻抗因残留物层141或氧化物层122的存在而上升、或减少后续形成的透明导电层剥离的情况，使得后续形成的透明导电层能电性连接金属层12。在此，清洗的时间及温度并无特殊限制。在本专利技术的一实施方案中，清洗的温度可介于20℃至40℃之间，而清洗的时间可介于30秒至3分钟之间。然而，本专利技术并不仅限于此。在一实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置的制备方法，包括下列步骤：/n提供一基板；/n形成一金属层于所述基板上，所述金属层具有一第一表面；/n形成一第一绝缘层于所述金属层的第一表面上；/n形成一第二绝缘层于所述第一绝缘层上；/n刻蚀所述第一绝缘层与第二绝缘层以形成一接触孔，且所述接触孔暴露部分的第一表面；/n以一溶液清洗所述接触孔所暴露的部分的第一表面；以及/n形成一透明导电层于所述第二绝缘层上，且所述透明导电层与所述金属层电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子装置的制备方法，包括下列步骤：
提供一基板；
形成一金属层于所述基板上，所述金属层具有一第一表面；
形成一第一绝缘层于所述金属层的第一表面上；
形成一第二绝缘层于所述第一绝缘层上；
刻蚀所述第一绝缘层与第二绝缘层以形成一接触孔，且所述接触孔暴露部分的第一表面；
以一溶液清洗所述接触孔所暴露的部分的第一表面；以及
形成一透明导电层于所述第二绝缘层上，且所述透明导电层与所述金属层电性连接。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中在所述溶液清洗接触孔所暴露的第一表面的步骤中，包括移除所述接触孔所暴露的第一表面上的一残留物或一氧化物。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中所述第二绝缘层包括一有机层。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中在所述溶液清洗接触孔所暴露的第一表面的步骤时，所述金属层与所述第一绝缘层的交界处形成一凹口。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，其中所述凹口的长度与所述透明导电层的厚度的比例介于0.01至0....

【专利技术属性】
技术研发人员：许博云，高克毅，曾嘉平，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71