【技术实现步骤摘要】
金属钨的填充方法
本专利技术属于半导体设计及制造领域，特别是涉及一种金属钨的填充方法。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR闪存和3DNAND闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。金属钨因为具有低电阻率和高稳定性的特性，被广泛应用于各种低层金属及孔槽结构的填充，如接触孔(CT)、金属布线结构的第底层金属(M0)、第一层金属(M1)，在高深宽比的孔槽结构的填充中具有显著优势。现有的各种栓孔和沟槽结构通常采用单纯金属钨的气相化学反应方式直接填充。通过持续地生长沉积直至完全填充，并希望...
【技术保护点】
1.一种金属钨的填充方法，其特征在于，所述填充方法包括步骤：/n于开口的侧壁形成氮化钨钝化层；/n于所述开口中进行金属钨填充。/n
【技术特征摘要】
1.一种金属钨的填充方法，其特征在于，所述填充方法包括步骤：
于开口的侧壁形成氮化钨钝化层；
于所述开口中进行金属钨填充。
2.根据权利要求1所述的金属钨的填充方法，其特征在于：所述开口形成于一基底内，且所述开口的上部区域具有自所述开口朝所述基底凹陷的弯曲部。
3.根据权利要求2所述的金属钨的填充方法，其特征在于：所述弯曲部与所述开口顶部开口的宽度之比大于110％。
4.根据权利要求1所述的金属钨的填充方法，其特征在于：所述开口的侧壁与所述开口底部之间的倾斜角度大于85°。
5.根据权利要求1所述的金属钨的填充方法，其特征在于：所述开口的深宽比介于5～50之间。
6.根据权利要求1所述的金属钨的填充方法，其特征在于：所述氮化钨钝化层的厚度自所述开口的开口朝所述开口的内部逐渐减小。
7.根据权利要求6所述的金属钨的填充方法，其特征在于：所述氮化钨钝化层的厚度范围介于5埃米～150埃米之间。
8.根据权利要求1所述的金属钨的填充方法，其特征在于：所述氮化钨钝化层的化学式为WNx，其中，x的取值范围介于0.1～2.0之间。
9.根据权利要求1所述的金属钨的填充方法，其特征在于：所述开口包括上孔槽部及下孔槽部，所述氮化钨钝化层仅形成于所述上孔槽部的侧壁或/及所述开口的顶部表面。
10.根据权利要求1所述的金属钨的填充方法，其特征在于：形成所述氮化钨钝化层之前还包括：
在所述开口内沉积钨种子层以及覆盖所述钨种子层的钨本体层，所述钨本体层围成孔，所述氮化钨钝化层位于所述孔内并与所述钨本体层接触；或者；
在所述开口内沉积钨种子层，所述钨种子层围成孔，所述氮化钨钝化层位于所述孔内并与所述钨种子层接触。
11.根据权利要求10所述的金属钨的填充方法，其特征在于：采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺生长钨种子层，其中，所述化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺的气源包括第一气源及六氟化钨，所述第一气源包括硅烷及乙硼烷中的一种或两种，所述六氟化钨与第一气源的体积比例介于0.4～3之间，所述第一气源的流量介于50sccm～1000sccm之间，所述六氟化钨的流量介于50sccm～1500sccm之间，沉积温度介于250℃～400℃之间，沉积时间介于0.5秒～500秒之间，所述钨种子层的厚度介于15埃米～500埃米之间。
12.根据权利要求10所述的金属钨的填充方法，其特征在于：采用化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺形成所述钨本体层，其中，所述化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺的气源包括六氟化钨及氢气，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹侃，胡凯，李远，万先进，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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