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本发明属于半导体设计及制造领域，本发明提供一种金属钨的填充方法，方法包括步骤：于开口的侧壁形成氮化钨钝化层；以及于所述开口中进行金属钨填充。本发明在金属钨填充过程中特别插入了氮化钨钝化层。由于金属钨在钨种子层和氮化钨钝化层表面的生长具有显著...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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