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本发明提供一种键合孔的形成方法，在衬底上依次形成有介质材料的覆盖层以及粘合层，并在覆盖层中形成有连线层，粘合层中形成有贯穿至连线层上的键合孔，采用真空溅射镀膜在键合孔内壁上进行第一铜种子沉积和第二铜种子沉积，进行第二铜种子沉积时较第一铜种子...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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