【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用通过引用将于2018年8月7日在韩国知识产权局提交的名为“SemiconductorDeviceandMethodforFabricatingtheSame”(半导体器件及其制造方法)的韩国专利申请No.10-2018-0091638全文结合于本申请中。
本公开涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
近年来，随着半导体元件的缩小化因电子技术的发展而快速进步，需要半导体芯片具有更高集成度和更低功耗。结果，电路部件之间(例如，布线之间)的间隔逐渐减小，并且布线的纵横比增大。
技术实现思路
根据一些实施例，一种半导体器件可以包括：下布线；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于所述下布线上方，并包括具有第一密度的第一部分和位于所述第一部分上的第二部分，所述第一部分和所述第二部分具有相同的材料，所述第二部分具有小于所述第一密度的第二密度；上布线，所述上布线位于所述层间绝缘膜的所述第二部分中；以及通路，所述通路至少部分地位于所述层间绝缘膜的所述第一部分中，所述通路连接所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n下布线；/n层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于所述下布线上方，所述层间绝缘膜包括：第一部分，所述第一部分具有第一密度；以及第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，所述第一部分和所述第二部分包括相同的材料，并且所述第二部分具有小于所述第一密度的第二密度；/n上布线，所述上布线位于所述层间绝缘膜的所述第二部分中；以及/n通路，所述通路至少部分地位于所述层间绝缘膜的所述第一部分中，所述通路连接所述上布线和所述下布线。/n
【技术特征摘要】
20180807 KR 10-2018-00916381.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
下布线；
层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于所述下布线上方，所述层间绝缘膜包括：第一部分，所述第一部分具有第一密度；以及第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，所述第一部分和所述第二部分包括相同的材料，并且所述第二部分具有小于所述第一密度的第二密度；
上布线，所述上布线位于所述层间绝缘膜的所述第二部分中；以及
通路，所述通路至少部分地位于所述层间绝缘膜的所述第一部分中，所述通路连接所述上布线和所述下布线。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通路的一部分在所述层间绝缘膜的所述第二部分中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜还包括第三部分，所述第三部分具有小于所述第一密度和所述第二密度的第三密度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下布线包括：
下导电图案，以及
下阻挡膜，所述下阻挡膜沿着所述下导电图案的侧壁和底表面延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜包括：
第一上布线沟槽，以及
第一通路沟槽，所述第一通路沟槽与所述第一上布线沟槽流体连通，所述通路和所述上布线在所述第一上布线沟槽和所述第一通路沟槽内彼此成一体。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述上布线和所述通路具有整体结构，所述整体结构包括：
上阻挡膜，所述上阻挡膜沿着所述第一上布线沟槽的侧壁、沿着所述第一通路沟槽的侧壁并且沿着所述第一通路沟槽的底表面连续地延伸；以及
上导电图案，所述上导电图案位于所述上阻挡膜上，并填充所述第一上布线沟槽和所述第一通路沟槽。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分的孔隙率小于所述层间绝缘膜的所述第二部分的孔隙率。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分的介电常数大于所述层间绝缘膜的所述第二部分的介电常数。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分和所述层间绝缘膜的所述第二部分包括相同的材料。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分和所述层间绝缘膜的所述第二部分包括八甲基环四硅氧烷。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分包括比所述层间绝缘膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：金志荣，韩奎熙，朴成彬，金永吉，白宗玟，李敬雨，郑德泳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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