垂直存储器件制造技术

提供了一种垂直存储器件，其包括：衬底，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，第一区域包括形成在其上的单元阵列，第二区域包括形成在其上的阶梯结构；栅电极，在与衬底的上表面垂直的第一方向上彼此隔开地堆叠在衬底的第一区域和第二区域上，每个栅电极在与衬底的上表面平行的第二方向上延伸且在其在第二方向上的端部处包括焊盘；沟道，在衬底的第一区域上沿第一方向延伸穿过栅电极；和形成在第二区域上的接触插塞，沿第一方向延伸以分别接触栅电极的焊盘。在俯视图中，焊盘中的第一焊盘可具有在远离衬底的第一区域的方向上凸出的凸边缘部分，在俯视图中，设置在第一焊盘上的第二焊盘可具有在朝向衬底的第一区域的方向上凹入的凹边缘部分。

Vertical memory device

【技术实现步骤摘要】
垂直存储器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月9日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0092748的优先权，其内容通过引用整体合并于此。
本公开涉及垂直存储器件。例如，本公开涉及包括堆叠成具有阶梯结构的栅电极的垂直存储器件。
技术介绍
在制造VNAND闪存器件的方法中，在交替地和重复地堆叠牺牲层和绝缘层之后，可以蚀刻牺牲层和绝缘层以在阶梯结构区域中形成具有阶梯结构的模具，在阶梯结构区域中形成用于将阶梯结构连接到上部布线的接触插塞。可以使用光刻胶图案执行蚀刻工艺，并且可以在通过修整工艺逐渐减小光刻胶图案的面积的同时执行蚀刻工艺，使得模具可以具有阶梯结构。因此，可靠的形成模具的方法将有利于实现具有期望的形状和尺寸的台阶。
技术实现思路
示例实施例提供了具有改善的电特性的垂直存储器件。根据示例实施例，提供了一种垂直存储器件。所述垂直存储器件可以包括：衬底，所述衬底包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括形成在所述第一区域上的单元阵列，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：/n衬底，所述衬底包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括形成在所述第一区域上的单元阵列，所述第二区域包括形成在所述第二区域上的阶梯结构；/n栅电极，所述栅电极在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上彼此隔开地堆叠在所述衬底的所述第一区域和所述第二区域上，每个所述栅电极在与所述衬底的所述上表面平行的第二方向上延伸并且在每个所述栅电极的在所述第二方向上的端部处包括焊盘；/n沟道，所述沟道在所述衬底的所述第一区域上在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极；以及/n形成在所述第二区域上的接触插塞，所述接触插塞在所述第一方向上延伸以分别接触所述栅电极...

【技术特征摘要】
20180809 KR 10-2018-00927481.一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：
衬底，所述衬底包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括形成在所述第一区域上的单元阵列，所述第二区域包括形成在所述第二区域上的阶梯结构；
栅电极，所述栅电极在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上彼此隔开地堆叠在所述衬底的所述第一区域和所述第二区域上，每个所述栅电极在与所述衬底的所述上表面平行的第二方向上延伸并且在每个所述栅电极的在所述第二方向上的端部处包括焊盘；
沟道，所述沟道在所述衬底的所述第一区域上在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极；以及
形成在所述第二区域上的接触插塞，所述接触插塞在所述第一方向上延伸以分别接触所述栅电极的所述焊盘，
其中，在俯视图中，所述焊盘中的第一焊盘具有在远离所述衬底的所述第一区域的方向上凸出的凸边缘部分，在俯视图中，设置在所述第一焊盘上的第二焊盘具有在朝向所述衬底的所述第一区域的方向上凹入的凹边缘部分。


2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，在俯视图中，所述焊盘中的设置在所述第一焊盘上的第三焊盘具有在远离所述衬底的所述第一区域的所述方向上凸出的凸边缘部分。


3.根据权利要求2所述的垂直存储器件，其中，所述第三焊盘设置在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间。


4.根据权利要求2所述的垂直存储器件，其中，所述第一焊盘的所述凸边缘部分的边界在俯视图中为凸出的第一弯曲形状，所述第三焊盘的所述凸边缘部分的边界在俯视图中为凸出的第二弯曲形状，所述第二弯曲形状的曲率小于所述第一弯曲形状的曲率。


5.根据权利要求4所述的垂直存储器件，其中，在俯视图中，设置在所述第二焊盘和所述第一焊盘之间的第四焊盘具有在朝向所述衬底的所述第一区域的所述方向上凹入的凹边缘部分。


6.根据权利要求5所述的垂直存储器件，其中，所述第四焊盘设置在所述第一焊盘上。


7.根据权利要求5所述的垂直存储器件，其中，所述第二焊盘的所述凹边缘部分的边界在俯视图中为凹入的第三弯曲形状，所述第四焊盘的所述凹边缘部分的边界在俯视图中为凹入的第四弯曲形状，所述第四弯曲形状的曲率小于所述第三弯曲形状的曲率。


8.根据权利要求7所述的垂直存储器件，其中，在俯视图中，所述焊盘中的设置在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的第五焊盘具有在第三方向上延伸的线形的边缘部分，所述第三方向与所述衬底的所述上表面平行且与所述第二方向垂直。


9.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，在俯视图中，所述第一焊盘的所述凸边缘部分的边界为凸出的第一弯曲形状，
其中，所述焊盘中的第六焊盘具有包括与所述第一弯曲形状相同的曲率的边缘部分，并形成在与所述第一焊盘的层级不同的层级。


10.根据权利要求9所述的垂直存储器件，其中，所述焊盘中的第七焊盘具有包括与所述第一弯曲形状相同的曲率的边缘部分，并形成在与所述第一焊盘的层级不同的层级，
其中，所述第一焊盘、所述第六焊盘和所述第七焊盘沿与所述衬底的所述上表面平行且与所述第二方向垂直的第三方向布置以形成阶梯结构。


11.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，在俯视图中，所述第二焊盘的所述凹边缘部分的边界为凹入的第二弯曲形状，
其中，所述焊盘中的第八焊盘具有包括与所述第二弯曲形状相同的曲率的边缘部分，并形成在与所述第二焊盘的层级不同的层级。


12.根据权利要求11所述的垂直存储器件，其中，所述焊盘中的第九焊盘具有包括与所述第二弯曲形状相同的曲率的边缘部分，并形成在与所述第二焊盘的层级不同的层级，
其中，所述第二焊盘、所述第八焊盘和所述第九焊盘在所述第一方向上堆叠，并在沿所述衬底的所述上表面平行且与所述第二方向以直角相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR