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提供了一种垂直存储器件，其包括：衬底，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，第一区域包括形成在其上的单元阵列，第二区域包括形成在其上的阶梯结构；栅电极，在与衬底的上表面垂直的第一方向上彼此隔开地堆叠在衬底的第一区域和第二区域上，每个栅电极在...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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