制造介电层的方法技术

一种制造介电层的方法包括在基材上方形成第一介电膜。在第一介电膜上方沉积第一成孔剂。在第一介电膜以及第一成孔剂上形成第二介电膜。第二介电膜与第一介电膜以及第一成孔剂接触。移除第一成孔剂。

Method of making dielectric layer

【技术实现步骤摘要】
制造介电层的方法
本案是关于一种介电层的制造方法、互连结构的制造方法以及介电层。
技术介绍
介电常数k是材料的绝缘性质的值。由于可以经由使用低介电常数介电质作为金属间或层级间的绝缘材料获得的改良的电气效能，低介电常数介电材料在集成电路中变得日渐风行。例如，与传统层级间介电质相比，采用低介电常数介电质的装置或电路的RC时间常数可以实质上降低，因此允许更快速的切换速度及改良装置效能。在现代半导体装置中，低介电常数介电材料用作层级间(亦称为金属间)介电质以使一个金属层级与另一个金属层级绝缘。如在本领域中熟知的，金属层级在彼此之上堆叠以形成完整的集成电路，其中层级间介电膜用作其间的绝缘材料。在镶嵌金属化制程中，层级间介电材料亦用作其中形成金属迹线的支撑层。具有六个、八个及甚至更大数量的堆叠的金属层的集成电路是在本领域中已知的。趋势表明堆叠金属层的数量将随时间增加。
技术实现思路
于一或多个实施方式中，一种用于制造介电层的方法包括在基材上方形成第一介电膜。在第一介电膜上方沉积第一成孔剂(porogen)。在第一介电膜以及第一成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造介电层的方法，其特征在于，该方法包含：/n在一基材上方形成一第一介电膜；/n在该第一介电膜上方沉积一第一成孔剂；/n在该第一介电膜以及该第一成孔剂上形成一第二介电膜，该第二介电膜与该第一介电膜以及该第一成孔剂接触；以及/n移除该第一成孔剂。/n

【技术特征摘要】
20180814 US 16/103,7441.一种制造介电层的方法，其特征在于，该方法包含：
在一基材上方形成一第一介电膜；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：何宜臻，周友华，廖彦豪，张哲纶，吴振诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71