【技术实现步骤摘要】
可变电阻式存储器装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0093995的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及可变电阻式存储器装置，更具体地，涉及具有三维交叉点堆叠结构的可变电阻式存储器装置。
技术介绍
已经开发了包括使用硫族化物材料的选择装置的可变电阻式存储器装置。当向使用通常处于非晶态的硫族化物材料的选择装置施加电压时，电子结构发生变化，使得其电特性从非导电状态变为导电状态。当从选择装置移除电压时，选择装置再次转变为处于非导电状态。通过使用这种特性，使用硫族化物材料的选择装置可代替二极管用于具有三维交叉点堆叠结构的存储装置。
技术实现思路
本专利技术构思提供了一种可变电阻式存储器装置，其形成为使得包括气隙的绝缘层围绕存储器单元以减少串扰。本专利技术构思要解决的问题不限于此，本领域普通技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他问题。根据本专利技术构思的一个方面，提供了一...
【技术保护点】
1.一种可变电阻式存储器装置，包括：/n第一电极线层，包括在第一方向上延伸并在衬底上彼此间隔开的第一电极线；/n第二电极线层，位于所述第一电极线层上方，并包括在与所述第一方向正交的第二方向上延伸并彼此间隔开的第二电极线；和/n存储器单元层，包括在所述第一电极线和所述第二电极线彼此重叠的位置中位于所述第一电极线层和所述第二电极线层之间的存储器单元，/n其中所述存储器单元中的每一个包括选择装置层、中间电极层和可变电阻层，/n其中第一绝缘层位于所述第一电极线之间，第二绝缘层位于所述存储器单元之间，第三绝缘层位于所述第二电极线之间，/n其中所述第二绝缘层包括在所述存储器单元的侧表面...
【技术特征摘要】
20180810 KR 10-2018-00939951.一种可变电阻式存储器装置，包括：
第一电极线层，包括在第一方向上延伸并在衬底上彼此间隔开的第一电极线；
第二电极线层，位于所述第一电极线层上方，并包括在与所述第一方向正交的第二方向上延伸并彼此间隔开的第二电极线；和
存储器单元层，包括在所述第一电极线和所述第二电极线彼此重叠的位置中位于所述第一电极线层和所述第二电极线层之间的存储器单元，
其中所述存储器单元中的每一个包括选择装置层、中间电极层和可变电阻层，
其中第一绝缘层位于所述第一电极线之间，第二绝缘层位于所述存储器单元之间，第三绝缘层位于所述第二电极线之间，
其中所述第二绝缘层包括在所述存储器单元的侧表面上的气隙，所述气隙在所述第一方向和所述第二方向上彼此交叉。
2.根据权利要求1所述的可变电阻式存储器装置，其中，所述存储器单元中的每一个具有梯形形状的轮廓，使得所述存储器单元的与所述第二电极线层相邻的第二部分的第二宽度大于所述存储器单元的与所述第一电极线层相邻的第一部分的第一宽度。
3.根据权利要求1所述的可变电阻式存储器装置，其中，所述气隙在水平面上围绕所述存储器单元。
4.根据权利要求1所述的可变电阻式存储器装置，其中，所述存储器单元与在所述第一方向和所述第二方向上相邻的其他存储器单元共享所述气隙。
5.根据权利要求1所述的可变电阻式存储器装置，其中，所述选择装置层包括双向阈值开关材料。
6.根据权利要求5所述的可变电阻式存储器装置，其中，所述气隙中的每一个的最上表面的水平高于所述中间电极层的上表面的水平。
7.根据权利要求1所述的可变电阻式存储器装置，
其中，所述存储器单元中的每一个包括在所述中间电极层和所述可变电阻层之间的加热电极层，并且
其中，所述加热电极层包括碳基导电材料。
8.根据权利要求7所述的可变电阻式存储器装置，其中，所述气隙中的每一个的最上表面的水平高于所述加热电极层的上表面的水平。
9.根据权利要求1所述的可变电阻式存储器装置，
其中，保护层位于所述存储器单元中的每一个的侧壁上，并且
其中，所述气隙中的每一个分别布置在由所述保护层形成的空间中。
10.根据权利要求9所述的可变电阻式存储器装置，其中，所述保护层包括与所述第二绝缘层相同的材料。
11.一种可变电阻式存储器装置，包括：
第一电极线层；
第二电极线层，位于所述第一电极线层上方；
第一存储器单元层，位于所述第一电极线层和所述第二电极线层之间并且包括第一存储器单元；以及
绝缘层...
【专利技术属性】
技术研发人员：金秉柱，高永珉，金钟旭，朴洸珉，朴正熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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