用于形成薄绝缘体上半导体（SOI）衬底的方法技术

本申请的各种实施例涉及一种用于形成薄绝缘体上半导体(SOI)衬底而没有注入辐射和/或等离子体损坏的方法。在一些实施例中，在牺牲衬底上外延形成器件层，并在器件层上形成绝缘层。例如，绝缘层可形成为带负电荷或中性电荷的净电荷。牺牲衬底与操作衬底接合，从而器件层和绝缘层位于牺牲衬底和操作衬底之间。去除牺牲衬底，并循环减薄器件层，直到器件层具有目标厚度。每个减薄循环均包括氧化器件层的一部分并去除由氧化产生的氧化物。本发明专利技术的实施例还涉及用于形成薄绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。

Method for forming semiconductor (SOI) substrate on thin insulator

【技术实现步骤摘要】
用于形成薄绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法
本专利技术的实施例涉及用于形成薄绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。
技术介绍
传统上，集成电路形成在块状半导体衬底上。近年来，已出现绝缘体上半导体(SOI)衬底作为块状半导体衬底的替代物。SOI衬底包括操作衬底、覆盖该操作衬底的绝缘层，以及覆盖绝缘层的器件层。其中，SOI衬底可降低寄生电容、减少漏电流、减少闩锁效应并改善半导体器件性能。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于形成绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法，所述方法包括：在牺牲衬底上外延形成器件层；将所述牺牲衬底与操作衬底接合，从而所述器件层位于所述牺牲衬底和所述操作衬底之间；去除所述牺牲衬底；以及循环减薄所述器件层，直到所述器件层具有目标厚度，其中，每个减薄循环均包括氧化所述器件层的一部分并去除由所述氧化产生的氧化物。本专利技术的另一实施例提供了一种用于形成绝缘体上硅(SOI)衬底的方法，所述方法包括：在牺牲衬底上方外延形成缓冲层；在所述缓冲层上方外延形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方外延形成器件层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法，所述方法包括：/n在牺牲衬底上外延形成器件层；/n将所述牺牲衬底与操作衬底接合，从而所述器件层位于所述牺牲衬底和所述操作衬底之间；/n去除所述牺牲衬底；以及/n循环减薄所述器件层，直到所述器件层具有目标厚度，其中，每个减薄循环均包括氧化所述器件层的一部分并去除由所述氧化产生的氧化物。/n

【技术特征摘要】
20180814 US 16/103,1011.一种用于形成绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法，所述方法包括：
在牺牲衬底上外延形成器件层；
将所述牺牲衬底与操作衬底接合，从而所述器件层位于所述牺牲衬底和所述操作衬底之间；
去除所述牺牲衬底；以及
循环减薄所述器件层，直到所述器件层具有目标厚度，其中，每个减薄循环均包括氧化所述器件层的一部分并去除由所述氧化产生的氧化物。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
测量所述器件层的厚度；以及
确定所测量的厚度和所述目标厚度之间的厚度差，其中，所述循环减薄具有至少两个减薄循环，并且其中，所述至少两个减薄循环中的每个减薄循环部分地减小所述厚度差。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化包括将所述器件层暴露在臭氧溶解在水中的化学溶液中，并且其中，去除包括将所述氧化物暴露在包含氢氟酸的化学溶液中。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述牺牲衬底上外延形成蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层包括未掺杂硅锗、硼掺杂硅锗或硼掺杂元素硅，并且其中，所述器件层形成在所述蚀刻停止层上；以及
在所述牺牲衬底的去除和所述循环减薄之间去除所述蚀刻停止层。


5.根据权利要求4所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政达，蔡嘉雄，卢玠甫，曾国华，周世培，郑有宏，杜友伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71