【技术实现步骤摘要】
晶圆及半导体器件
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆及半导体器件。
技术介绍
随着技术的发展和进步，集成电路芯片的集成度越来越高，单层芯片已无法满足使用需求，多层堆叠式芯片的应用越来越广泛，堆叠式芯片通过多层堆叠的晶圆切割得到。多层堆叠的晶圆包括晶粒区和切割区，在切割切割区时，由于切割应力等的影响可能导致晶粒区损坏，为了保证在切割时不损坏晶粒区，通常会设置较大面积的切割区，切割区面积过大导致晶圆的有效利用率降低进而导致芯片成本升高。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种晶圆及半导体器件，进而至少在一定程度上克服由于相关技术中晶圆切割区面积较大，导致的晶圆有效利用率低的问题。根据本公开的第一方面，提供一种晶圆，所述晶圆包括：晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；止裂硅通孔，设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内
【技术保护点】
1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括：/n晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；/n止裂硅通孔，设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内填充有保护材料。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括：
晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；
止裂硅通孔，设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内填充有保护材料。
2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔形成于所述切割道延伸方向的两侧。
3.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布的硅通孔。
4.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述切割道的一侧形成有多行止裂硅通孔。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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