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提供了一种可变电阻式存储器装置，包括：第一电极线层，包括在第一方向上延伸并在衬底上彼此间隔开的第一电极线；第二电极线层，位于第一电极线层上方，并包括在与第一方向正交的第二方向上延伸并彼此间隔开的第二电极线；和存储器单元层，包括位于第一电极线...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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