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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:23402556
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提供了一种半导体器件,其包括:下布线;层间绝缘膜,位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分,第一部分和第二部分具有相同的材料,第二部分具有小于第一密度的第二密度;上布线,位于层间绝缘膜的第二部分中;以及通路,至少...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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