【技术实现步骤摘要】
一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置
本专利技术涉及芯片修复
,具体涉及一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置。
技术介绍
芯片是半导体集成器件的总称,将一块集成了晶体管电路的硅晶圆进行贴装、互连、注塑等封装步骤后就成为了一块可以使用的芯片。芯片制作完整过程包括芯片设计、晶圆制作、封装制作、测试等几个环节,每完成一个环节就会进行测试,筛选出不合格的产品。管芯电路互连是芯片封装前最重要的部分,半导体失效约有1/4-1/3是由互连电路出错所引起,因此芯片修调对器件可靠性意义重大。对于封装测试不合格的芯片,一般会剥离其封装材料,检查出互连电路缺陷加以修复。如果出现互连线路短路的情况,可以用激光烧断实现修复;但是对于互连电路断开的情况,修复方法较为复杂。目前已有的修复手段是采用3D打印技术打印出导电线路进行修复。例如国际上有名的PCB3D打印机制造商于2016年推出的全球首款专门打印PCB桌面打印机可在几个小时内打印出十层以上的电子电路(含层间互联和通孔)。但是在国内,电子电路3D打印机研究大多在理论研究 ...
【技术保护点】
1.一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤一,对芯片进行工业CT检测,检测出所述芯片的缺陷位置及填充材料的种类与性能参数;/n步骤二,将所述芯片放置在二维运动平台上,对所述芯片进行定位,标定出芯片上的原点,设定二维运动平台X、Y轴的速度与位移参数;/n步骤三,根据所述填充材料的性能参数设置两束激光的参数,设置激光的功率、扫描速度和扫描次数;调节两束激光三维入射角度与Z轴的焦距,使得两束激光的聚焦点照射所述芯片的断路处的任一端,将该端的填充材料改性为石墨烯;/n步骤四,所述二维运动平台带动所述芯片移动,使两束所述激光的聚焦点移动到所述断路处的另 ...
【技术特征摘要】
1.一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一,对芯片进行工业CT检测,检测出所述芯片的缺陷位置及填充材料的种类与性能参数;
步骤二,将所述芯片放置在二维运动平台上,对所述芯片进行定位,标定出芯片上的原点,设定二维运动平台X、Y轴的速度与位移参数;
步骤三,根据所述填充材料的性能参数设置两束激光的参数,设置激光的功率、扫描速度和扫描次数;调节两束激光三维入射角度与Z轴的焦距,使得两束激光的聚焦点照射所述芯片的断路处的任一端,将该端的填充材料改性为石墨烯;
步骤四,所述二维运动平台带动所述芯片移动,使两束所述激光的聚焦点移动到所述断路处的另一端,并使移动轨迹连通所述芯片的断路处的两端。
2.根据权利要求1所述的一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法,其特征在于:调整两束激光的波长和频率,使得两束所述激光在所述聚焦点处产生稳定的干涉和抵消。
3.根据权利要求1所述的一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法,其特征在于:步骤二中二维运动平台X、Y轴的速度范围均为1~10mm/s。
4.根据权利要求1所述的一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈云,姚瑶,丁树权,龙俊宇,侯茂祥,施达创,陈新,高健,刘强,张揽宇,贺云波,张胜辉,汪正平,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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