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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,包括第一区域及第二区域;在基底表面形成介质层,第一区域介质层内具有第一通孔,第二区域介质层内具有第二通孔,第一通孔开口大于第二通孔开口;在第一通孔内形成第一氧化层,在第二通孔内形成第二氧化层;刻蚀去...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,包括第一区域及第二区域;在基底表面形成介质层,第一区域介质层内具有第一通孔,第二区域介质层内具有第二通孔,第一通孔开口大于第二通孔开口;在第一通孔内形成第一氧化层,在第二通孔内形成第二氧化层;刻蚀去...