非易失性存储器装置和包括其的存储器系统制造方法及图纸

非易失性存储器装置和包括其的存储器系统。一种非易失性存储器装置包括联接到单条位线的多个存储器单元，其中，多个存储器单元各自联接到多条字线中的不同字线。该非易失性存储器装置包括被配置为基于多读取命令向字线中的目标字线依次施加第一电平的读取电压的解码器。该非易失性存储器装置包括读取电路，该读取电路被配置为通过每当第一电平的读取电压被施加到目标字线中的每一个时感测所述位线，来获得与目标字线联接的目标存储器单元的第一感测值。

Nonvolatile memory devices and memory systems including them

A nonvolatile memory device and a memory system thereof. A nonvolatile memory device includes a plurality of memory units connected to a single bit line, wherein the plurality of memory units are respectively connected to different word lines in the plurality of word lines. The nonvolatile memory device includes a decoder configured to successively apply a first level read voltage to the target word line in the word line based on the multi read command. The nonvolatile memory device includes a reading circuit configured to obtain a first sensing value of the target memory unit connected to the target word line by sensing the bit line whenever a reading voltage of the first level is applied to each of the target word lines.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置和包括其的存储器系统
各种实施方式总体涉及存储器装置，更具体地，涉及一种非易失性存储器装置。
技术介绍
非易失性存储器装置即使在没有供电的情况下也可以保留所存储的数据。非易失性存储器装置可以包括诸如NAND闪存或NOR闪存之类的闪速存储器、铁电式随机存取存储器(FeRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)等。存储器系统可以包括非易失性存储器装置，并且可以被配置为响应于主机装置的写入请求而将从主机装置提供的数据存储在非易失性存储器装置中。另外，存储器系统可以被配置为响应于主机装置的读取请求而向主机装置提供非易失性存储器装置中所存储的数据。作为能够处理数据的电子装置的主机装置可以包括计算机、数码相机或移动电话。存储器系统可以通过被内置在主机装置中来操作，或者可以通过以可分离的形式制造并且联接到主机装置来操作。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种非易失性存储器装置可以包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元联接到单条位线，其中，所述多个存储器单元各自联接到多条字线中的不同字线；解码器，所述解码器被配置为基于多读取命令，向所述多条字线当中的多条目标字线依次施加第一电平的读取电压；以及读取电路，所述读取电路被配置为通过每当所述第一电平的读取电压被施加到所述多条目标字线中的每一条时感测所述位线，来获得与所述目标字线联接的目标存储器单元的第一感测值。在一个实施方式中，一种存储器系统可以包括：非易失性存储器装置；以及控制器，所述控制器被配置为向所述非易失性存储器装置传输多读取命令，所述非易失性存储器装置包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元联接到单条位线，其中，所述多个存储器单元各自联接到多条字线中的不同字线；解码器，所述解码器被配置为基于所述多读取命令，向所述多条字线当中的多条目标字线依次施加第一电平的读取电压；以及读取电路，所述读取电路被配置为通过每当所述第一电平的读取电压被施加到所述多条目标字线中的每一条时感测所述位线，来获得与所述目标字线联接的目标存储器单元的第一感测值。在一个实施方式中，一种非易失性存储器装置可以包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括联接到多条字线和多条位线的存储器单元；解码器，所述解码器被配置为为了基于多读取命令对目标页执行读取访问，向所述多条字线当中的与所述目标页对应的多条目标字线依次施加第一电平的读取电压；以及读取电路，所述读取电路被配置为通过每当所述第一电平的读取电压被施加到所述多条目标字线中的每一条时感测所述位线，来获得相应目标页的第一感测值。附图说明图1是示出根据一个实施方式的非易失性存储器装置的示例表示的框图。图2A和图2B是示出根据一个实施方式的存储块的配置的示例表示的图。图3A和图3B是示出存储器单元的阈值电压分布的示例表示的图。图4是示出图1中所示的控制电路的配置的示例表示的框图。图5是示出图1中所示的读取电路的配置的示例表示的框图。图6是帮助说明图1的非易失性存储器装置执行多读取操作的方法的图的示例表示。图7是帮助说明图1的非易失性存储器装置执行多读取操作的方法的图的示例表示。图8是示出根据一个实施方式的存储器系统的示例表示的框图。图9是示出包括根据一个实施方式的固态硬盘(SSD)的数据处理系统的图。图10是示出包括根据一个实施方式的存储器系统的数据处理系统的图。图11是示出包括根据一个实施方式的存储器系统的数据处理系统的图。图12是示出包括根据一个实施方式的存储器系统的网络系统的图。具体实施方式在本公开中，在阅读了以下结合附图的实施方式的示例之后，优点、特征和用于实现它们的方法将变得更加清楚。然而，本公开可以以不同的形式来实施，而不应该被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了详细描述本公开，以使本公开所属领域的技术人员能够容易地实现本公开的技术构思。在本文应该理解的是，本公开的实施方式不限于附图中所示的细节，并且附图不一定按比例绘制，在某些情况下，为了更清楚地绘制本公开的某些特征，已经夸大了比例。虽然本文使用了特定术语，但是可以理解，本文所使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，而并非旨在限制本公开的范围。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意组合和所有组合。将理解的是，当元件被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，该元件可以直接在另一元件上、直接连接或联接到另一元件，或者可存在中间元件。如本文所使用的，除非上下文另外明确说明，否则单数形式也旨在包括复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，表示存在至少一个所提及的特征、步骤、操作和/或元件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、步骤、操作和/或元件。在下文中，将通过实施方式的各种示例，参照附图在下面描述非易失性存储器装置和包括该非易失性存储器装置的存储器系统。图1是示出根据一个实施方式的非易失性存储器装置10的示例表示的框图。非易失性存储器装置10可以在控制器的控制下存储从外部控制器(未示出)传输的数据，并且可以读取所存储的数据并将所读取的数据传输到控制器。在一些实施方式中，非易失性存储器装置可以包括控制器。在一些实施方式中，控制器可以位于非易失性存储器装置的外部。具体而言，本实施方式的非易失性存储器装置10可以从控制器接收多读取命令，并且可以响应于多读取命令而执行多读取操作。当执行多读取操作时，非易失性存储器装置10可以依次选择存储块中的多条目标字线，从而读取-访问目标字线的目标页，并且可以将存储在目标页中的数据一次输出到控制器。可通过一个多读取命令来执行对多条目标字线的多读取操作。此外，当需要读取-访问多条目标字线中的各个目标页时，根据正常读取操作而不是多读取操作，控制器可以针对多条目标字线传输多个正常读取命令。每当接收到正常读取命令时，非易失性存储器装置10可以读取-访问对应目标字线的目标页，并且可以将存储在该目标页中的数据输出到控制器。也就是说，可以针对多条目标字线重复进行正常读取操作。在这种情况下，传输各个正常读取命令需要时间。因此，当需要读取-访问多条目标字线的目标页时，根据本实施方式的多读取操作，由于消除了用于传输正常读取命令的时间，因此与重复进行正常读取操作的情况相比，可以快速处理数据。另外，如下面将描述的，非易失性存储器装置10可以在执行多读取操作时将相同电平的读取电压依次施加到目标字线。在这种情况下，非易失性存储器装置10不需要再次设置读取电压的电平。因此，在针对多条目标字线的多读取操作中，由于基本上省略了用于设置读取电压的电平的过程，因此与重复进行正常读取操作的情况相比，用于执行多读取操作的时间可以更短。参照图1，非易失性存储器装置10可以包括控制电路11、多个存储块MB11至MB1n、多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：/n多个存储器单元，所述多个存储器单元联接到单条位线，其中，所述多个存储器单元各自联接到多条字线中的不同字线；/n解码器，所述解码器被配置为基于多读取命令，向所述多条字线当中的多条目标字线依次施加第一电平的读取电压；以及/n读取电路，所述读取电路被配置为通过每当所述第一电平的读取电压被施加到所述多条目标字线中的每一条时感测所述位线，来获得与所述目标字线联接的目标存储器单元的第一感测值。/n

【技术特征摘要】
20180515 KR 10-2018-00554611.一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：
多个存储器单元，所述多个存储器单元联接到单条位线，其中，所述多个存储器单元各自联接到多条字线中的不同字线；
解码器，所述解码器被配置为基于多读取命令，向所述多条字线当中的多条目标字线依次施加第一电平的读取电压；以及
读取电路，所述读取电路被配置为通过每当所述第一电平的读取电压被施加到所述多条目标字线中的每一条时感测所述位线，来获得与所述目标字线联接的目标存储器单元的第一感测值。


2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述读取电路被配置为将所述第一感测值存储在储存电路中。


3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述读取电路包括预充电电路，所述预充电电路被配置为每当所述读取电压被施加到所述多条目标字线中的每一条时对所述位线进行预充电。


4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，
其中，所述目标存储器单元通过基于依次施加到所述多条目标字线的读取电压而导通或截止来改变所述位线的电压，并且
其中，所述读取电路通过感测所述位线的电压来获得所述第一感测值。


5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述解码器在向所述多条目标字线中的每一条施加所述读取电压的同时，向未被施加所述读取电压的多条字线同时施加电平比所述第一电平高的通过电压。


6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述多读取命令包括所述目标字线的地址。


7.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，
其中，所述解码器基于所述多读取命令，在施加所述第一电平的读取电压之后向所述多条目标字线依次施加第二电平的读取电压，并且
其中，所述读取电路通过每当所述第二电平的读取电压被施加到所述多条目标字线中的每一条时感测所述位线，来获得所述目标存储器单元的第二感测值，并将所述第二感测值存储在所述储存电路中。


8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置还包括：
数据输出电路，所述数据输出电路被配置为基于多个所述目标存储器单元中的每一个的至少一个感测值来确定多个所述目标存储器单元中的每一个的读取数据位，并且将所述目标存储器单元的读取数据位输出到所述非易失性存储器装置的外部。


9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置还包括：
控制电路，所述控制电路被配置为响应于所述多读取命令而设置所述读取电压的第一电平，并将所述读取电压提供到所述解码器，
其中，所述控制电路在所述解码器将所述读取电压依次施加到所述多条目标字线的同时保持所述第一电平的设置。


10.一种存储器系统，该存储器系统包括：
非易失性存储器装置；以及
控制器，所述控制器被配置为向所述非易失性存储器装置传输多读取命令，
所述非易失性存储器装置包括：
多个存储器单元，所述多个存储器单元联接到单条位线，其中，所述多个存储器单元各自联接到多条字线中的不同字线；
解码器，所述解码器被配置为基于所述多读取命令，向所述多条字线当中的多条目标字线依次施加第一电平的读取电压；以及
读取电路，所述读取电路被配置为通过每当所述第一电平的读取...

【专利技术属性】
技术研发人员：李硕珪，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR